صفحه 10 از مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایت

توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال -
پورت اتصال حافظه SATA -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت -
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC -
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 2 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 3 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, KCC, TUV, RoHS, FCC, VCCI, RU, RCM -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر -
وزن محصول 8 گرم -

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Toshiba BiCS3 64L TLC
کنترلر (Controller) Samsung MJX Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS 600,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 2 MB LPDDR4 DDR4
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW) 1655 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی 3 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, KCC, TUV, RoHS, FCC, VCCI, RU, RCM CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 8 گرم
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 8.1 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا ای دیتا FALCON SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ای دیتا FALCON SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC TLC
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 2 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW) 2,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 3 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, KCC, TUV, RoHS, FCC, VCCI, RU, RCM RoHS, CE, FCC
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر -
وزن محصول 8 گرم -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر حداکثر 16G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 960 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 960 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه SATA -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D NAND
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 2 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 3 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, KCC, TUV, RoHS, FCC, VCCI, RU, RCM CE, FCC, BSMI, RoHS, KCC
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 11.2 * 80 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 46 گرم
شیوه اتصال - Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.3 و بالاتر ** لینوکس هسته 2.6 و بالاتر ** ان*وید 6 و بالاتر
مواد بدنه - پلاستیک
نشانگر وضعیت LED - false
محتویات جعبه - کابل USB Type-C به USB Type-A

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا تیم گروپ L3 EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایت

تیم گروپ L3 EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC TLC
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 470 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 2 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW) 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 60 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 3 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, KCC, TUV, RoHS, FCC, VCCI, RU, RCM -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 115 گرم
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.4 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد و دمای 0 تا 55 *جه
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایت

تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Micron 96L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Samsung MJX Silicon Motion SM2263XT
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS 90,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS 100,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 2 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 75 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 3 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, KCC, TUV, RoHS, FCC, VCCI, RU, RCM -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 6 گرم
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا وسترن دیجیتال PC SN530 M.2 2280 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایت

وسترن دیجیتال PC SN530 M.2 2280 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen3 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D NAND
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 950 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS 170,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS 120,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 2 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW) 200 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی 3 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, KCC, TUV, RoHS, FCC, VCCI, RU, RCM BSMI, ICES-003/NMB-003, CE, FCC, KC, Maghreb, RCM, UKCA, VCCI, CB-Scheme, TUV, UL
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2.38 * 22 * 30 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 7.5 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا تیم گروپ GX2 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایت

تیم گروپ GX2 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 430 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 2 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW) 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 3 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, KCC, TUV, RoHS, FCC, VCCI, RU, RCM -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.4 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایت

تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Samsung MJX Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 850 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS 200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS 200,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 2 MB LPDDR4 NANYA DDR3L
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW) 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 3 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 AES 256-bit, TCG Pyrite
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, KCC, TUV, RoHS, FCC, VCCI, RU, RCM -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 6 گرم
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Toshiba BiCS3 64L TLC
کنترلر (Controller) Samsung MJX Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS 600,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 2 MB LPDDR4 DDR4
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW) 1655 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی 3 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, KCC, TUV, RoHS, FCC, VCCI, RU, RCM CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 8 گرم
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 8.1 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا شیشو XS880 mSATA ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایت

شیشو XS880 mSATA ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 mSATA
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC TLC
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 450 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS 550 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 2 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 3 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, KCC, TUV, RoHS, FCC, VCCI, RU, RCM -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر -
وزن محصول 8 گرم -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 7، 8، 10 ** مک OS ** لینوکس
قابلیت‌های جانبی - استاندارهای FCC , CE , ROHS
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا ویکومن VC500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویکومن VC500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D NAND
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 450 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 2 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW) 2,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 3 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, KCC, TUV, RoHS, FCC, VCCI, RU, RCM -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 10 * 70 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 100 گرم
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز (7،8،8.1،10) ** مک OS ** لینوکس
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه
نشانگر وضعیت LED - false