صفحه 6 از مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایتبا سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایت

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 960 MB 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 3D QLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) DM928 Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت / 1.6 آمپر -
طول عمر متوسط 336 (TBW) ترابایت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, VCCI,RCM -
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 34 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
نرخ نوشتن ترتیبی - 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 97000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88000IOPS
نوع حافظه DRAM - 512MB LPDDR4
میزان توان مصرفی - 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit

مقایسه ای دیتا Premier Pro SP900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا Premier Pro SP900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) SandForce 2200 Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی 545 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 535 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 91,000IOPS 97000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,000,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 0.9 وات * حالت فعال ** 0.5 وات * حالت آماده باش 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100.45 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 68 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88000IOPS
نوع حافظه DRAM - 512MB LPDDR4
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit

مقایسه پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 5600 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4300 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM true true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 3600 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز 7 و بالاتر -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار PNY PCIe SSD Toolbox -
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI, KCC -
اندازه و ابعاد 4 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 6.6 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 97000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88000IOPS
نوع حافظه DRAM - 512MB LPDDR4
میزان توان مصرفی - 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D TLC
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 7250 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97000IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88000IOPS 1,000,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 512MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW) 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 5100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp 8.6 میلی‌وات * حالت فعال ** 30 میلی‌وات * حالت PS3 Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 11.04 * 24.2 * 80.16 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 47 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه کینگستون SSDNow UV400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

کینگستون SSDNow UV400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 480 MB 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) Marvell 88SS1074 Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 97000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 35,000IOPS 88000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 0.59 وات * حالت خواندن ** 2.515 وات * حالت نوشتن ** 0.693 وات به صورت میانگین ** 0.672 وات * حالت آماده باش 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** نرم‌افزار Acronis Data Migration -
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 57 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
محتویات جعبه قاب مخصوص برای استفاده از حافظه به صورت اکسترنال ** اسپیسر 7 به 9.5 میلی‌متر برای افزایش ارتفاع SSD ** براکت 3.5 اینچی برای قرارگیری * کیس ** کابل USB ** کابل ساتا ** کابل دیتا ** شماره سریال برای دانلود نرم‌افزار Acronis Data Migration -
نوع حافظه DRAM - 512MB LPDDR4
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit

مقایسه لکسار NS100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

لکسار NS100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 250 MB
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 256 (TBW) ترابایت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مناسب لپ‌تاپ و دسکتاپ ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 34 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
نرخ نوشتن ترتیبی - 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 97000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88000IOPS
نوع حافظه DRAM - 512MB LPDDR4
میزان توان مصرفی - 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit

مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 64L 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2258XT Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTTF) ** 720 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, CE, WEEE, ROHS, EPEAT, Halogen Free, SATA-IO, ICES -
اندازه و ابعاد 9 * 95 * 125 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 70 گرم 8 گرم
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 97000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88000IOPS
نوع حافظه DRAM - 512MB LPDDR4
میزان توان مصرفی - 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) Phison PS5016-E16 Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4400 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 750,000IOPS 97000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 700,000IOPS 88000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 1 MB DDR4 512MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,770,000 ساعت (MTBF) ** 1800 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 6.6 وات * حالت خواندن ** 6.4 وات * حالت نوشتن ** 18.8 میلی‌وات * حالت آماده باش 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی دارای هیت‌سینک از جنس مس ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان ** نرم‌افزار SSD Tool Box -
اندازه و ابعاد 11.25 * 23.5 * 80.5 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
وزن محصول - 8 گرم

مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 64L 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2258XT Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTTF) ** 360 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, CE, WEEE, ROHS, EPEAT, Halogen Free, SATA-IO, ICES -
اندازه و ابعاد 9 * 95 * 125 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 70 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 97000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88000IOPS
نوع حافظه DRAM - 512MB LPDDR4
میزان توان مصرفی - 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit

مقایسه کینگستون A400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایتبا سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

کینگستون A400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 240 MB 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) 2Ch Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 350 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 80 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 0.279 وات به صورت میانگین ** 0.642 وات * حالت خواندن ** 1.535 وات * حالت نوشتن ** 0.195 وات * حالت آماده باش 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش و ضربه ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال -
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 41 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 97000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88000IOPS
نوع حافظه DRAM - 512MB LPDDR4
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D TLC
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 7300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 6000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97000IOPS 800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88000IOPS 1,000,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 512MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW) 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1275 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp 6.5 وات * حالت فعال ** 0.016 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 11.04 * 24.2 * 80.16 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 47 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller) Samsung MJX Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 1900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97000IOPS 380,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88000IOPS 360,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 512MB LPDDR4 1GB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp 5.7 وات * حالت خواندن ** 4.8 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2