صفحه 7 از مقایسه سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه بایواستار P500 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

بایواستار P500 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 250 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 900 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک ** لینوکس -
قابلیت‌های جانبی نورپردازی RGB * دو طرف بدنه ** خاموش شدن نورپردازی * صورت قرارگیری * زاویه 45 *جه -
مواد بدنه آلومینیوم -
اندازه و ابعاد 13 * 42 * 115 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 100 گرم 45 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
محتویات جعبه کابل USB Type-C به USB Type-C ** کابل USB Type-C به USB Type-A ** دفترچه راهنما -
پورت اتصال حافظه - SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung 3-bit 2D TLC NAND
کنترلر (Controller) - Samsung MGX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 256MB DDR3
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit

مقایسه پایونیر APS-SL3N SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

پایونیر APS-SL3N SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung 3-bit 2D TLC NAND
کنترلر (Controller) Phison Samsung MGX
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS 97,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 390 (TBW) ترابایت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه -
اندازه و ابعاد 7 * 70 * 100 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 45 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 256MB DDR3
میزان توان مصرفی - 3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit

مقایسه سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایتبا سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه SATA -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 8 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung 3-bit 2D TLC NAND NAND
کنترلر (Controller) Samsung MGX -
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 460 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 460 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 256MB DDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 17 * 40 * 95 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 102 گرم
نشانگر وضعیت LED false true
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 1
سیستم‌عامل‌های سازگار - Windows, macOS, Android
قابلیت‌های جانبی - سازگار با نرم افزار Samsung Magician ** پشتیبانی از حالت UASP
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, BSMI, KC, VCCI, RCM, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS
محتویات جعبه - کابل تایپ C به تایپ C ** دفترچه راهنما

مقایسه کینگ مکس SMP25 SATA 2.5 Inch ظرفیت 64 گیگابایتبا سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

کینگ مکس SMP25 SATA 2.5 Inch ظرفیت 64 گیگابایت

سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 64 MB 250 MB
نرخ خواندن ترتیبی 200 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 70 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 20,000IOPS 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 8,000IOPS 88,000IOPS
حافظه DRAM false true
طول عمر متوسط 1,200,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 100 گرم 45 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung 3-bit 2D TLC NAND
کنترلر (Controller) - Samsung MGX
نوع حافظه DRAM - 256MB DDR3
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی - 3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit

مقایسه آیگو P2000 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

آیگو P2000 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 250 MB
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1400 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.6 و بالاتر -
اندازه و ابعاد 2.1 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 5 گرم 45 گرم
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung 3-bit 2D TLC NAND
کنترلر (Controller) - Samsung MGX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 256MB DDR3
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه ای دیتا LEGEND 960 MAX NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا LEGEND 960 MAX NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung 3-bit 2D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 7400 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6800 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 750,000IOPS 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 630,000IOPS 88,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ** سازگار با ما*بوردهای اینتل و AMD ** پشتیبانی از نرم‌افزار SSD Toolbox ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
اندازه و ابعاد 10.65 * 23.2 * 80.6 میلی‌متر (با هیت سینک) ** 3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت سینک) 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 36.6 گرم (با هیت سینک) ** 7.3 گرم (بدون هیت سینک) 45 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung MGX
نوع حافظه DRAM - 256MB DDR3
میزان توان مصرفی - 3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung 3-bit 2D TLC NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263XT Samsung MGX
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک -
قابلیت‌های جانبی محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 25 گرم 45 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 256MB DDR3
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp

مقایسه سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Blue SN550 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

وسترن دیجیتال Blue SN550 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung 3-bit 2D TLC NAND SanDisk 96L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Samsung MGX WD Architecture
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 950 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS 165,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS 160,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 256MB DDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW) 1,700,000 ساعت (MTTF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp حداکثر 3.5 وات * حالت فعال ** 5 میلی‌وات * حالت استندبای
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 6.5 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** نرم‌افزار Western Digital SSD Dashboard
مجوزها و تاییدیه‌ها - BSMI, CAN, CE, FCC, KCC, Morocco, RCM, TUV, UL, VCCI

مقایسه نتاک Z Slim USB 3.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

نتاک Z Slim USB 3.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2 -
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 250 MB
حافظه DRAM false true
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز 7 و بالاتر ** مک OS -
قابلیت‌های جانبی سرعت انتقال داده 550 مگابایت بر ثانیه -
مواد بدنه فلز -
اندازه و ابعاد 9 * 29 * 100 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 30 گرم 45 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
پورت اتصال حافظه - SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - SATA 6Gb/s
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung 3-bit 2D TLC NAND
کنترلر (Controller) - Samsung MGX
نرخ خواندن ترتیبی - 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 256MB DDR3
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit

مقایسه سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایتبا سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung 3-bit 2D TLC NAND Samsung TLC V-NAND
کنترلر (Controller) Samsung MGX S4LV003
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS 600,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 256MB DDR3 LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Blue WDS100T1B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

وسترن دیجیتال Blue WDS100T1B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung 3-bit 2D TLC NAND BiCS3 64Layer WD 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Samsung MGX Marvell 88SS1074
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 545 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 525 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS 100,000ّIOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS 80,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 256MB DDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW) 1,750,000 ساعت (MTTF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp 2.85 وات * حالت خواندن ** 4.40 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات به صورت میانگین ** 52 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 6 تا 9.7 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 7 ×69.85 × 100.5 ميلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 59.7 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI

مقایسه سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایتبا تیم گروپ T-Force CARDEA Zero Z440 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

تیم گروپ T-Force CARDEA Zero Z440 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung 3-bit 2D TLC NAND 96L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Samsung MGX Phison PS5016-E16
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 4400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS 750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS 750,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 256MB DDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW) 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1,800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 3.7 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 9 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر