صفحه 13 از مقایسه سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه هایک ویژن C100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایتبا سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

هایک ویژن C100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایت

سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 960 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) NAND 3D TLC Toshiba BiCS4 96L TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 563 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 542 مگابایت بر ثانیه 4400 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 3600 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی 1.67 وات * حالت خواندن ** 1.64 وات * حالت نوشتن ** 0.38 میلی‌وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100.1 میلی‌متر -
وزن محصول 59 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Phison PS5016-E16
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 750,000IOPS
نوع حافظه DRAM - DDR4

مقایسه ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Toshiba BiCS4 96L TLC NAND
کنترلر (Controller) PHISON E21T Phison PS5016-E16
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4500 مگابایت بر ثانیه 4400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS 750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 950,000IOPS 750,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 3600 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی 4.3 وات * حالت استفاده ** 50 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها -
اندازه و ابعاد 2.15 × 22 × 80 ميلی‌متر -
نشانگر وضعیت LED false false
نوع حافظه DRAM - DDR4

مقایسه سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba BiCS4 96L TLC NAND Micron 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Phison PS5016-E16 SMI
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 2455 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4400 مگابایت بر ثانیه 1832 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 750,000IOPS 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 750,000IOPS 270,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM DDR4 -
طول عمر متوسط 3600 (TBW) ترابایت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
نشانگر وضعیت LED false false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, cTUVus, RoHS

مقایسه سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba BiCS4 96L TLC NAND Samsung TLC V-NAND
کنترلر (Controller) Phison PS5016-E16 S4LV003
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4400 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 750,000IOPS 800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 750,000IOPS 800,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM DDR4 LPDDR4
طول عمر متوسط 3600 (TBW) ترابایت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
نشانگر وضعیت LED false -
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS
اندازه و ابعاد - 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر

مقایسه سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا ایکس انرژی Gold Drive SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ایکس انرژی Gold Drive SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba BiCS4 96L TLC NAND TLC
کنترلر (Controller) Phison PS5016-E16 -
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4400 مگابایت بر ثانیه 400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 750,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 750,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM DDR4 -
طول عمر متوسط 3600 (TBW) ترابایت 2,000,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
نشانگر وضعیت LED false false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر حداکثر 16G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS, CE, FCC
وزن محصول - 35 گرم

مقایسه سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba BiCS4 96L TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) Phison PS5016-E16 Samsung in-house Controller
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4400 مگابایت بر ثانیه 6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 750,000IOPS 1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 750,000IOPS 1,550,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM DDR4 -
طول عمر متوسط 3600 (TBW) ترابایت 1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
نشانگر وضعیت LED false false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
اندازه و ابعاد - 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول - 9 گرم

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Toshiba BiCS4 96L TLC NAND
کنترلر (Controller) PHISON E18 Phison PS5016-E16
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6800 مگابایت بر ثانیه 4400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 650,000IOPS 750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 700,000IOPS 750,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 2 MB DDR4 DDR4
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد -
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW) 3600 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی حداکثر 8.2 وات هنگام استفاده ** 22 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256bit -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر -
وزن محصول 9.7 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه لکسار SL200 USB 3.1 ظرفیت 1 ترابایتبا سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

لکسار SL200 USB 3.1 ظرفیت 1 ترابایت

سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
شیوه اتصال Type-C به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 1 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 400 مگابایت بر ثانیه 4400 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 9.5 * 60 * 86 میلی‌متر -
وزن محصول 40.6 گرم -
نشانگر وضعیت LED true false
محتویات جعبه کابل USB Type-C به USB Type-A ** کابل USB Type-C به USB Type-C ** دفترچه راهنما -
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Toshiba BiCS4 96L TLC NAND
کنترلر (Controller) - Phison PS5016-E16
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 750,000IOPS
نوع حافظه DRAM - DDR4
طول عمر متوسط - 3600 (TBW) ترابایت

مقایسه کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Toshiba BiCS4 96L TLC NAND
کنترلر (Controller) SMI SM2263XT Phison PS5016-E16
نرخ خواندن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1650 مگابایت بر ثانیه 4400 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** قابلیت پایش دمای حافظه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, BSMI -
اندازه و ابعاد 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر -
وزن محصول 7 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 750,000IOPS
نوع حافظه DRAM - DDR4
طول عمر متوسط - 3600 (TBW) ترابایت

مقایسه سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا ای دیتا FALCON SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ای دیتا FALCON SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba BiCS4 96L TLC NAND TLC
کنترلر (Controller) Phison PS5016-E16 -
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4400 مگابایت بر ثانیه 400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 750,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 750,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM DDR4 -
طول عمر متوسط 3600 (TBW) ترابایت 2,000,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
نشانگر وضعیت LED false false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر حداکثر 16G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS, CE, FCC

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4x4 / NVMe 1.4 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Toshiba BiCS4 96L TLC NAND
کنترلر (Controller) PHISON E18 Phison PS5016-E16
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5500 مگابایت بر ثانیه 4400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 350,000IOPS 750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 700,000IOPS 750,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش DDR4
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد -
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW) 3600 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی حداکثر 6.6 وات هنگام استفاده ** 14 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256bit -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک -
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba BiCS4 96L TLC NAND NAND Flash
کنترلر (Controller) Phison PS5016-E16 -
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 1700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4400 مگابایت بر ثانیه 1100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 750,000IOPS 180,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 750,000IOPS 250,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM DDR4 -
طول عمر متوسط 3600 (TBW) ترابایت 1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
نشانگر وضعیت LED false false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی - 2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box
اندازه و ابعاد - 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر