صفحه 12 از مقایسه سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس کی هاینیکس BC711 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی	سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	اس کی هاینیکس BC711 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS4 96L TLC NAND	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Phison PS5016-E16	-
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4400 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	750,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	750,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	DDR4	-
طول عمر متوسط	3600 (TBW) ترابایت	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
اندازه و ابعاد	-	2.4 * 22 * 80 میلی‌متر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

سابرنت VS Samsung

ویژگی	سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS4 96L TLC NAND	Samsung 3-bit 2D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Phison PS5016-E16	Samsung MGX
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4400 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	750,000IOPS	97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	750,000IOPS	88,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	DDR4	256MB DDR3
طول عمر متوسط	3600 (TBW) ترابایت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
نشانگر وضعیت LED	false	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	-	3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
اندازه و ابعاد	-	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	-	45 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا وسترن دیجیتال Black WDS250G2X0C NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

سابرنت VS خودروسازی دی اس

ویژگی	سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	وسترن دیجیتال Black WDS250G2X0C NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS4 96L TLC NAND	-
کنترلر (Controller)	Phison PS5016-E16	-
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4400 مگابایت بر ثانیه	1600 مگابایت ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	750,000IOPS	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	750,000IOPS	170,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	DDR4	-
طول عمر متوسط	3600 (TBW) ترابایت	2,000,000 (MTTF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
نشانگر وضعیت LED	false	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	2.8 آمپر
میزان توان مصرفی	-	0.11 وات به صورت میانگین ** 2.5 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 5.0G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه نرم‌افزار Western Digital SSD Dashboard نرم‌افزار Acronis True Image WD Edition
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, C-Tick
اندازه و ابعاد	-	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	7.5 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا ایکس انرژی FALCON SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

سابرنت VS ایکس انرژی

ویژگی	سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	ایکس انرژی FALCON SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	480 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS4 96L TLC NAND	TLC
کنترلر (Controller)	Phison PS5016-E16	-
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4400 مگابایت بر ثانیه	400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	750,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	750,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	DDR4	-
طول عمر متوسط	3600 (TBW) ترابایت	2,000,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
نشانگر وضعیت LED	false	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 16G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ اسپک NT-XXX SATA M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایتبا سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

KingSpec VS سابرنت

ویژگی	کینگ اسپک NT-XXX SATA M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت	سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Toshiba BiCS4 96L TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	580 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	4400 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 349 ترابایت (TBW)	3600 (TBW) ترابایت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Phison PS5016-E16
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	750,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	DDR4

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا Premier Pro SP900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایتبا سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ای دیتا VS سابرنت

ویژگی	ای دیتا Premier Pro SP900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت	سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC NAND	Toshiba BiCS4 96L TLC NAND
کنترلر (Controller)	SandForce 2200	Phison PS5016-E16
نرخ خواندن ترتیبی	545 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	535 مگابایت بر ثانیه	4400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	91,000IOPS	750,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,000,000 (MTBF) ساعت	3600 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی	0.9 وات * حالت فعال ** 0.5 وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100.45 میلی‌متر	-
وزن محصول	68 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	750,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	DDR4

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

سابرنت VS Samsung

ویژگی	سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS4 96L TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	Phison PS5016-E16	Samsung MGX
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4400 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	750,000IOPS	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	750,000IOPS	90,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	DDR4	512MBLPDDR3
طول عمر متوسط	3600 (TBW) ترابایت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
نشانگر وضعیت LED	false	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	-	3.1 وات * حالت خواندن ** 3.6 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
اندازه و ابعاد	-	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	-	54.4 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا XPG SX900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایتبا سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ای دیتا VS سابرنت

ویژگی	ای دیتا XPG SX900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت	سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	128 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC NAND	Toshiba BiCS4 96L TLC NAND
کنترلر (Controller)	SandForce 2281	Phison PS5016-E16
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	530 مگابایت بر ثانیه	4400 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	91,000IOPS	750,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,000,000 (MTBF) ساعت	3600 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی	0.8 وات * حالت فعال ** 0.4 وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه XP و بالاتر مک لینوکس	-
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100.45 میلی‌متر	-
وزن محصول	68 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	750,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	DDR4

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

msi VS سابرنت

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Toshiba BiCS4 96L TLC NAND
کنترلر (Controller)	PHISON E18	Phison PS5016-E16
نرخ خواندن ترتیبی	7400 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	4400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1000,000IOPS	750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1000,000IOPS	750,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	DDR4 با 2 گیگابایت حافظه کش	DDR4
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	-
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)	3600 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی	حداکثر 10.5 وات هنگام استفاده ** 45 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256bit	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	-
وزن محصول	9.7 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

کینگ مکس VS سابرنت

ویژگی	کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Toshiba BiCS4 96L TLC NAND
کنترلر (Controller)	Phison PS5012-E12	Phison PS5016-E16
نرخ خواندن ترتیبی	1950 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1550 مگابایت بر ثانیه	4400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	130,000IOPS	750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	230,000IOPS	750,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)	3600 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی	3.5 وات در حالت فعال	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	-
وزن محصول	10 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
نوع حافظه DRAM	-	DDR4

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

msi VS سابرنت

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Toshiba BiCS4 96L TLC NAND
کنترلر (Controller)	PHISON E26	Phison PS5016-E16
نرخ خواندن ترتیبی	10000 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	10000 مگابایت بر ثانیه	4400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,400,000IOPS	750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,500,000IOPS	750,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش	DDR4
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	-
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)	3600 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی	حداکثر 11 وات هنگام استفاده	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک	-
نشانگر وضعیت LED	false	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اچ پی VS سابرنت

ویژگی	اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Intel 96L 3D TLC NAND	Toshiba BiCS4 96L TLC NAND
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2263EN	Phison PS5016-E16
نرخ خواندن ترتیبی	2080 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	4400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	193,000IOPS	750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	282,000IOPS	750,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600	DDR4
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW)	3600 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی	4.29 وات * حالت فعال ** 0.67 وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM	-
اندازه و ابعاد	2.4 * 22 * 80 میلی‌متر	-
وزن محصول	5.4 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false

مشاهده جزئیات مقایسه