صفحه 4 از مقایسه پی ان وای CS2230 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPNبا پی ان وای CS2230 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی	اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN	پی ان وای CS2230 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱.۶ ترابایت	500 MB
اندازه و ابعاد	۲.۵"	4 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	-	3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	2500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	-	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	BSMI, CE, FCC, Kcc, REACH, RoHS, VCCI, UKCA, RCM
وزن محصول	-	6.6 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS2230 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

PNY VS سامسونگ

ویژگی	پی ان وای CS2230 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.4	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	3300 مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, FCC, Kcc, REACH, RoHS, VCCI, UKCA, RCM	-
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	6.6 گرم	۴۶ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۸۸۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910Gبا پی ان وای CS2230 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت

کلیو VS PNY

ویژگی	اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G	پی ان وای CS2230 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC NAND	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۸۰۰ مگابایت بر ثانیه	2500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۵۶۰۰۰۰ IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۶۱۵۰۰۰ IOPS	-
طول عمر متوسط	۱۴۰۰	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW)
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۸ میلی‌متر)	4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۱۰ گرم	6.6 گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
مجوزها و تاییدیه‌ها	UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE	BSMI, CE, FCC, Kcc, REACH, RoHS, VCCI, UKCA, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
حافظه DRAM	-	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتیگراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS2230 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

PNY VS سامسونگ

ویژگی	پی ان وای CS2230 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.4	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	QLC
نرخ خواندن ترتیبی	3300 مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, FCC, Kcc, REACH, RoHS, VCCI, UKCA, RCM	-
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	6.6 گرم	۴۶ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۸۸۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS2230 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

PNY VS سامسونگ

ویژگی	پی ان وای CS2230 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.4	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی	3300 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW)	۶۰۰
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, FCC, Kcc, REACH, RoHS, VCCI, UKCA, RCM	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
وزن محصول	6.6 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300با پی ان وای CS2230 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت

گیگابایت VS PNY

ویژگی	SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300	پی ان وای CS2230 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.4
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC NAND	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	2500 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۷۰۰	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)	4 * 22 * 80 میلی‌متر
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
حافظه DRAM	-	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	BSMI, CE, FCC, Kcc, REACH, RoHS, VCCI, UKCA, RCM
وزن محصول	-	6.6 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS2230 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

PNY VS سامسونگ

ویژگی	پی ان وای CS2230 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.4	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	3300 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, FCC, Kcc, REACH, RoHS, VCCI, UKCA, RCM	-
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول	6.6 گرم	۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875با پی ان وای CS2230 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت

لنوو VS PNY

ویژگی	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875	پی ان وای CS2230 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱.۹۲ ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND TLC	3D NAND
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۸۲۰۰۰ IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۲۸۰۰۰ IOPS	-
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)	4 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
نرخ خواندن ترتیبی	-	3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	2500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	-	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	BSMI, CE, FCC, Kcc, REACH, RoHS, VCCI, UKCA, RCM
وزن محصول	-	6.6 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMeبا پی ان وای CS2230 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت

کینگستون VS PNY

ویژگی	اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMe	پی ان وای CS2230 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	۲۱۰۰ مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	2500 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۴۸۰	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
اندازه و ابعاد	M.2 (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر)	4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۷ گرم	6.6 گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۳.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, RoHS	BSMI, CE, FCC, Kcc, REACH, RoHS, VCCI, UKCA, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D NAND
حافظه DRAM	-	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS2230 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

PNY VS سامسونگ

ویژگی	پی ان وای CS2230 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.4	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	۳.۸۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	-
نرخ خواندن ترتیبی	3300 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW)	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, FCC, Kcc, REACH, RoHS, VCCI, UKCA, RCM	-
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	۲.۵"
وزن محصول	6.6 گرم	۵۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۳۰۰۰۰ IOPS
رنگ‌بندی	-	مشکی

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS2230 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

PNY VS سی‌گیت

ویژگی	پی ان وای CS2230 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.4	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	۳D cMLC
نرخ خواندن ترتیبی	3300 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW)	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, FCC, Kcc, REACH, RoHS, VCCI, UKCA, RCM	-
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	M.2 (۲۲ * ۱۱۰ * ۲ میلی‌متر)
وزن محصول	6.6 گرم	۱۴ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۲۴۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۲۸۰۰۰ IOPS
رنگ‌بندی	-	Black, Green

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS2230 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

PNY VS سی‌گیت

ویژگی	پی ان وای CS2230 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.4	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	۱۵ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی	3300 مگابایت بر ثانیه	۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW)	۲۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, FCC, Kcc, REACH, RoHS, VCCI, UKCA, RCM	-
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
وزن محصول	6.6 گرم	۲۰۵ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۱۹۵۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۱۲ V

مشاهده جزئیات مقایسه