صفحه 5 از مقایسه پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300با پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی	SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 4.0 x4 / NVMe
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC NAND	3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه	3600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۷۰۰	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)	4 * 22 * 80 میلی‌متر
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Phison E19T
حافظه DRAM	-	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
وزن محصول	-	100 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت

برند نامشخص VS PNY

ویژگی	SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 4.0 x4 / NVMe
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه	3600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۵۰۰	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر)	4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۷.۵ گرم	100 گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Phison E19T
حافظه DRAM	-	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

PNY VS سی‌گیت

ویژگی	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	۱۵ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	۳D eTLC
کنترلر (Controller)	Phison E19T	-
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2300 مگابایت بر ثانیه	۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
وزن محصول	100 گرم	۲۰۵ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۱۹۵۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۲۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۱۲ V
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886با پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت

لنوو VS PNY

ویژگی	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱.۹۲ ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND TLC	3D TLC NAND
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۸۲۰۰۰ IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۴۷۵۰۰ IOPS	-
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)	4 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	PCIe 4.0 x4 / NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	No	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Phison E19T
نرخ خواندن ترتیبی	-	3600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	2300 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	-	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
وزن محصول	-	100 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00با پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت

فیلیپس VS PNY

ویژگی	اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۲۴۰ گیگابایت	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	۴۵۰ مگابایت بر ثانیه	3600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۳۶۰ مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۵ V	-
اندازه و ابعاد	2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۷۰ میلی‌متر)	4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۳۸.۲ گرم	100 گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	-	Phison E19T
حافظه DRAM	-	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

PNY VS سامسونگ

ویژگی	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	V-NAND MLC
کنترلر (Controller)	Phison E19T	-
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2300 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول	100 گرم	۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
طول عمر متوسط	-	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

PNY VS سی‌گیت

ویژگی	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	۳D cMLC
کنترلر (Controller)	Phison E19T	-
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	2300 مگابایت بر ثانیه	-
حافظه DRAM	false	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	M.2 (۲۲ * ۱۱۰ * ۲ میلی‌متر)
وزن محصول	100 گرم	۱۴ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۲۴۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۲۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
رنگ‌بندی	-	Black, Green

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

PNY VS Samsung

ویژگی	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 2-bit MLC
کنترلر (Controller)	Phison E19T	Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2300 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	6.8 × 69.85 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول	100 گرم	62 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	100.000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	90.000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	2 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	2.2 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون SSDNow UV400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت

کینگستون VS PNY

ویژگی	کینگستون SSDNow UV400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC NAND	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Marvell 88SS1074	Phison E19T
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	35,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	0.59 وات * حالت خواندن ** 2.515 وات * حالت نوشتن 0.693 وات به صورت میانگین 0.672 وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** نرم‌افزار Acronis Data Migration	-
اندازه و ابعاد	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر	4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	57 گرم	100 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
محتویات جعبه	قاب مخصوص برای استفاده از حافظه به صورت اکسترنال اسپیسر 7 به 9.5 میلی‌متر برای افزایش ارتفاع SSD براکت 3.5 اینچی برای قرارگیری * کیس کابل USB کابل ساتا کابل دیتا شماره سریال برای دانلود نرم‌افزار Acronis Data Migration	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

PNY VS Samsung

ویژگی	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	Phison E19T	Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2300 مگابایت بر ثانیه	1900 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	100 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	380,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	360,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	1GB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	5.7 وات * حالت خواندن ** 4.8 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت

لکسار VS PNY

ویژگی	لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 3D QLC NAND	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	DM928	Phison E19T
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3600 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت / 1.6 آمپر	-
طول عمر متوسط	168 (TBW) ترابایت	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, VCCI,RCM	-
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر	4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	34 گرم	100 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
نرخ نوشتن ترتیبی	-	2300 مگابایت بر ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

PNY VS Samsung

ویژگی	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung 48-Layer MLC V-NAND
کنترلر (Controller)	Phison E19T	Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2300 مگابایت بر ثانیه	2100 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	100 گرم	8.3 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	5.1 وات * حالت خواندن ** 4.7 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه