صفحه 5 از مقایسه او سی پی سی MBL-400 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886با او سی پی سی MBL-400 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886

او سی پی سی MBL-400 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱.۹۲ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC 3D NAND
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۸۲۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۴۷۵۰۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر) 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No PCIe Gen4x4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری No -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
نرخ خواندن ترتیبی - 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 4600 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز ** مک ** لینوکس
وزن محصول - 10 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه او سی پی سی MBL-400 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

ویژگی

او سی پی سی MBL-400 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4x4 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND ۳D cMLC
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 4600 مگابایت بر ثانیه -
حافظه DRAM false -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک ** لینوکس -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر M.2 (۲۲ * ۱۱۰ * ۲ میلی‌متر)
وزن محصول 10 گرم ۱۴ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۲۴۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۲۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
رنگ‌بندی - Black, Green

مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMeبا او سی پی سی MBL-400 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe

او سی پی سی MBL-400 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

فناوری رمزنگاری Yes -
میزان ظرفیت حافظه ۷.۶۸ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D eTLC 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۰۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 4600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۸۰۰۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۵۰۰۰۰۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد U.2 (۶۹.۸ * ۱۰۰.۵ * ۱۴.۸ میلی‌متر) 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۱۵۱.۳ گرم 10 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe Gen4x4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
حافظه DRAM - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز ** مک ** لینوکس
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954با او سی پی سی MBL-400 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954

او سی پی سی MBL-400 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۵۱۲ گیگابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 4600 مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۲۳ میلی‌متر) 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۷.۲ گرم 10 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe Gen4x4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D NAND
حافظه DRAM - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز ** مک ** لینوکس
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2230 کینگستون NV3 500 گیگابایتبا او سی پی سی MBL-400 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2230 کینگستون NV3 500 گیگابایت

او سی پی سی MBL-400 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۵۰۰ گیگابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۳۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 4600 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۶۰ -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر) 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۲.۶ گرم 10 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe Gen4x4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
حافظه DRAM - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز ** مک ** لینوکس
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایتبا او سی پی سی MBL-400 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایت

او سی پی سی MBL-400 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۴ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۸۰۰ مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 4600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۷.۷ گرم 10 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe Gen4x4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
حافظه DRAM - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز ** مک ** لینوکس
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه او سی پی سی MBL-400 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

ویژگی

او سی پی سی MBL-400 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4x4 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱۵ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND ۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4600 مگابایت بر ثانیه ۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک ** لینوکس -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
وزن محصول 10 گرم ۲۰۵ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۱۹۵۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۲۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۱۲ V
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد

مقایسه کینگستون A400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایتبا او سی پی سی MBL-400 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

کینگستون A400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

او سی پی سی MBL-400 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen4x4
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 240 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC 3D NAND
کنترلر (Controller) 2Ch -
نرخ خواندن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 350 مگابایت بر ثانیه 4600 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 80 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 0.279 وات به صورت میانگین ** 0.642 وات * حالت خواندن ** 1.535 وات * حالت نوشتن ** 0.195 وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش و ضربه ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال -
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 41 گرم 10 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز ** مک ** لینوکس

مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایتبا او سی پی سی MBL-400 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

او سی پی سی MBL-400 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen4x4
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 64L 3D TLC NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2258XT -
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 4600 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTTF) ** 360 ترابایت (TBW) -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, CE, WEEE, ROHS, EPEAT, Halogen Free, SATA-IO, ICES -
اندازه و ابعاد 9 * 95 * 125 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 70 گرم 10 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز ** مک ** لینوکس

مقایسه او سی پی سی MBL-400 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

او سی پی سی MBL-400 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4x4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3- bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4600 مگابایت بر ثانیه 1900 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک ** لینوکس -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 380,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 360,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 1GB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 5.7 وات * حالت خواندن ** 4.8 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مقایسه او سی پی سی MBL-400 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

او سی پی سی MBL-400 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4x4 PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D TLC
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 7300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4600 مگابایت بر ثانیه 6000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک ** لینوکس -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 11.04 * 24.2 * 80.16 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم 47 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1275 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 6.5 وات * حالت فعال ** 0.016 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه او سی پی سی MBL-400 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

او سی پی سی MBL-400 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4x4 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 4-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4600 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک ** لینوکس -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم 62 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 96,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 89,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 1GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit