صفحه 13 از مقایسه او سی پی سی HP NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کورسیر MP600 PRO LPX NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا او سی پی سی HP NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی	کورسیر MP600 PRO LPX NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت	او سی پی سی HP NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	4 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	7100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	6800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	سازگار با پلی‌استیشن 5 مک OS ایکس ویندوز 10
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 صد و دمای 40 جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D TLC NAND
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 3000 ترابایت (TBW)
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
اندازه و ابعاد	-	11 * 23 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	410 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی EX950 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا او سی پی سی HP NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اچ پی VS اچ پی

ویژگی	اچ پی EX950 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	او سی پی سی HP NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	2900 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	ویندوز
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Micron 64L TLC NAND
کنترلر (Controller)	-	SMI SM2262EN
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	410,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	370,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	1 MB Micron DDR3
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 650 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	6.93 وات * حالت فعال ** 0.73 وات * حالت Idle
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM
اندازه و ابعاد	-	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	5.4 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه او سی پی سی HP NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 2 ترابایت

اچ پی VS سیگیت

ویژگی	او سی پی سی HP NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	7250 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D TLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,000,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 5100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	8.6 میلی‌وات * حالت فعال ** 30 میلی‌وات * حالت PS3 Idle
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS
اندازه و ابعاد	-	11.04 * 24.2 * 80.16 میلی‌متر
وزن محصول	-	47 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه او سی پی سی HP NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اچ پی VS PNY

ویژگی	او سی پی سی HP NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
نشانگر وضعیت LED	false	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Toshiba 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	-	Phison PS5012-E12
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 3115 ترابایت (TBW)
فناوری رمزنگاری	-	AES 128-bit
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI
اندازه و ابعاد	-	2 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	6.6 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا او سی پی سی HP NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اچ پی VS GIGABYTE

ویژگی	گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	او سی پی سی HP NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	4400 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	دارای هیت‌سینک از جنس مس الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان نرم‌افزار SSD Tool Box
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND
کنترلر (Controller)	-	Phison PS5016-E16
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	700,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	1 MB DDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,770,000 ساعت (MTBF) ** 1800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	6.6 وات * حالت خواندن ** 6.4 وات * حالت نوشتن ** 18.8 میلی‌وات * حالت آماده باش
اندازه و ابعاد	-	11.25 * 23.5 * 80.5 میلی‌متر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه او سی پی سی HP NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ PM9B1 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت

اچ پی VS Samsung

ویژگی	او سی پی سی HP NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ PM9B1 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe Gen4 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2	M.2 2242
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	256 MB
نرخ خواندن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	940 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتیگراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,750,000 (MTTF) ساعت
اندازه و ابعاد	-	2.3 * 22 * 42 میلی‌متر
وزن محصول	-	3.9 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه او سی پی سی HP NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

اچ پی VS Samsung

ویژگی	او سی پی سی HP NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	4 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 2-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	100.000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	90.000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	4 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 4800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	2.2 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 7 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
اندازه و ابعاد	-	6.8 × 69.85 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول	-	62 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ اسپک NT-XXX SATA M.2 2280 ظرفیت 256 گیگابایتبا او سی پی سی HP NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اچ پی VS KingSpec

ویژگی	کینگ اسپک NT-XXX SATA M.2 2280 ظرفیت 256 گیگابایت	او سی پی سی HP NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	256 MB
نرخ خواندن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	580 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D TLC NAND
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 174 ترابایت (TBW)
اندازه و ابعاد	-	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا او سی پی سی HP NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اچ پی VS msi

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	او سی پی سی HP NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	3600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D NAND
کنترلر (Controller)	-	PHISON E19T
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	550,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	حداکثر 3.4 وات هنگام استفاده ** 40 میلی‌وات * حالت Idle
اندازه و ابعاد	-	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه او سی پی سی HP NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اچ پی VS Samsung

ویژگی	او سی پی سی HP NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	512 MB
نرخ خواندن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung TLC V-NAND
کنترلر (Controller)	-	S4LV003
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	800,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS
اندازه و ابعاد	-	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا او سی پی سی HP NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اچ پی VS کلو

ویژگی	کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	او سی پی سی HP NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	3700 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 پشتیبانی از SLC Cache پشتیبانی کدینگ LPDC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
نشانگر وضعیت LED	false	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D TLC NAND
طول عمر متوسط	-	350 (TBW) ترابایت
اندازه و ابعاد	-	3.40 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت سینک) ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت سینک)
وزن محصول	-	10 گرم (با هیت سینک) ** 7 گرم (بدون هیت سینک)

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا او سی پی سی HP NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اچ پی VS msi

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	او سی پی سی HP NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	4500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	کدینگ LPDC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D NAND
کنترلر (Controller)	-	PHISON E21T
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	550,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	950,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	4.3 وات * حالت استفاده ** 50 میلی‌وات * حالت Idle
اندازه و ابعاد	-	2.15 × 22 × 80 ميلی‌متر

مشاهده جزئیات مقایسه