صفحه 4 از مقایسه ماشکین DELTA NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661با ماشکین DELTA NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661

ماشکین DELTA NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۵۱۲ گیگابایت 4 ترابایت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۶.۵ گرم 7 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D NAND
کنترلر (Controller) - Phison E16
نرخ خواندن ترتیبی - 4975 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 3975 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 700,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 650,000IOPS
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
فناوری رمزنگاری - AES 128/256 bitSHA160/256/512, RSA 2048
قابلیت‌های جانبی - بهینه سازی مصرف انرژی ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** محافظت سرتاسری داده‌ها (E2E) ** قابلیت پایش دمای حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS, FCC, CE
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه ماشکین DELTA NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO

ویژگی

ماشکین DELTA NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND V-NAND MLC
کنترلر (Controller) Phison E16 -
نرخ خواندن ترتیبی 4975 مگابایت بر ثانیه ۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3975 مگابایت بر ثانیه ۲۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 700,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 650,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت ۳.۳ V
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 128/256 bitSHA160/256/512, RSA 2048 Yes
قابلیت‌های جانبی بهینه سازی مصرف انرژی ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** محافظت سرتاسری داده‌ها (E2E) ** قابلیت پایش دمای حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, FCC, CE RoHS
اندازه و ابعاد 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 7 گرم ۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
رنگ‌بندی - مشکی

مقایسه ماشکین DELTA NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60

ویژگی

ماشکین DELTA NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND ۳D NAND
کنترلر (Controller) Phison E16 -
نرخ خواندن ترتیبی 4975 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3975 مگابایت بر ثانیه ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 700,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 650,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW) ۲۵۰
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 128/256 bitSHA160/256/512, RSA 2048 Yes
قابلیت‌های جانبی بهینه سازی مصرف انرژی ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** محافظت سرتاسری داده‌ها (E2E) ** قابلیت پایش دمای حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, FCC, CE -
اندازه و ابعاد 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۱۳ میلی‌متر)
وزن محصول 7 گرم ۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه ماشکین DELTA NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe

ویژگی

ماشکین DELTA NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND TLC
کنترلر (Controller) Phison E16 -
نرخ خواندن ترتیبی 4975 مگابایت بر ثانیه ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3975 مگابایت بر ثانیه ۲۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 700,000IOPS ۳۸۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 650,000IOPS ۴۴۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW) -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
فناوری رمزنگاری AES 128/256 bitSHA160/256/512, RSA 2048 -
قابلیت‌های جانبی بهینه سازی مصرف انرژی ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** محافظت سرتاسری داده‌ها (E2E) ** قابلیت پایش دمای حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, FCC, CE -
اندازه و ابعاد 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر M.۲
وزن محصول 7 گرم ۹ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
رنگ‌بندی - Black, Green

مقایسه ماشکین DELTA NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

ویژگی

ماشکین DELTA NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت ۳.۸۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND -
کنترلر (Controller) Phison E16 -
نرخ خواندن ترتیبی 4975 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3975 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 700,000IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 650,000IOPS ۳۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW) -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
فناوری رمزنگاری AES 128/256 bitSHA160/256/512, RSA 2048 -
قابلیت‌های جانبی بهینه سازی مصرف انرژی ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** محافظت سرتاسری داده‌ها (E2E) ** قابلیت پایش دمای حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, FCC, CE -
اندازه و ابعاد 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر ۲.۵"
وزن محصول 7 گرم ۵۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
رنگ‌بندی - مشکی

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049با ماشکین DELTA NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049

ماشکین DELTA NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲۴۰ گیگابایت 4 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه 4975 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۲۵۰ مگابایت بر ثانیه 3975 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۷۸۰۰۰ IOPS 700,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۶۰۰۰ IOPS 650,000IOPS
اندازه و ابعاد M.۲ 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه PCI Express ۲.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D NAND
کنترلر (Controller) - Phison E16
حافظه DRAM - false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
فناوری رمزنگاری - AES 128/256 bitSHA160/256/512, RSA 2048
قابلیت‌های جانبی - بهینه سازی مصرف انرژی ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** محافظت سرتاسری داده‌ها (E2E) ** قابلیت پایش دمای حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS, FCC, CE
وزن محصول - 7 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZبا ماشکین DELTA NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZ

ماشکین DELTA NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۳.۸۴ ترابایت 4 ترابایت
اندازه و ابعاد ۲.۵" 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری No AES 128/256 bitSHA160/256/512, RSA 2048
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D NAND
کنترلر (Controller) - Phison E16
نرخ خواندن ترتیبی - 4975 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 3975 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 700,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 650,000IOPS
حافظه DRAM - false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
قابلیت‌های جانبی - بهینه سازی مصرف انرژی ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** محافظت سرتاسری داده‌ها (E2E) ** قابلیت پایش دمای حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS, FCC, CE
وزن محصول - 7 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300با ماشکین DELTA NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300

ماشکین DELTA NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes AES 128/256 bitSHA160/256/512, RSA 2048
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه 4975 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 3975 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۷۰۰ 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E16
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 700,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 650,000IOPS
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت‌های جانبی - بهینه سازی مصرف انرژی ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** محافظت سرتاسری داده‌ها (E2E) ** قابلیت پایش دمای حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS, FCC, CE
وزن محصول - 7 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه ماشکین DELTA NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

ویژگی

ماشکین DELTA NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND V-NAND TLC
کنترلر (Controller) Phison E16 -
نرخ خواندن ترتیبی 4975 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3975 مگابایت بر ثانیه ۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 700,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 650,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW) ۶۰۰
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 128/256 bitSHA160/256/512, RSA 2048 Yes
قابلیت‌های جانبی بهینه سازی مصرف انرژی ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** محافظت سرتاسری داده‌ها (E2E) ** قابلیت پایش دمای حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, FCC, CE Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA
اندازه و ابعاد 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر ۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
وزن محصول 7 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه ماشکین DELTA NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

ویژگی

ماشکین DELTA NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت ۱۵ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND ۳D eTLC
کنترلر (Controller) Phison E16 -
نرخ خواندن ترتیبی 4975 مگابایت بر ثانیه ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3975 مگابایت بر ثانیه ۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 700,000IOPS ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 650,000IOPS ۱۹۵۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت ۱۲ V
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW) ۲۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
فناوری رمزنگاری AES 128/256 bitSHA160/256/512, RSA 2048 -
قابلیت‌های جانبی بهینه سازی مصرف انرژی ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** محافظت سرتاسری داده‌ها (E2E) ** قابلیت پایش دمای حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, FCC, CE -
اندازه و ابعاد 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
وزن محصول 7 گرم ۲۰۵ گرم
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886با ماشکین DELTA NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886

ماشکین DELTA NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱.۹۲ ترابایت 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC 3D NAND
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۸۲۰۰۰ IOPS 700,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۴۷۵۰۰ IOPS 650,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر) 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری No AES 128/256 bitSHA160/256/512, RSA 2048
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E16
نرخ خواندن ترتیبی - 4975 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 3975 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت‌های جانبی - بهینه سازی مصرف انرژی ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** محافظت سرتاسری داده‌ها (E2E) ** قابلیت پایش دمای حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS, FCC, CE
وزن محصول - 7 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758با ماشکین DELTA NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758

ماشکین DELTA NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 4 ترابایت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۶ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۹ گرم 7 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D NAND
کنترلر (Controller) - Phison E16
نرخ خواندن ترتیبی - 4975 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 3975 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 700,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 650,000IOPS
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
فناوری رمزنگاری - AES 128/256 bitSHA160/256/512, RSA 2048
قابلیت‌های جانبی - بهینه سازی مصرف انرژی ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** محافظت سرتاسری داده‌ها (E2E) ** قابلیت پایش دمای حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS, FCC, CE
نشانگر وضعیت LED - false