صفحه 10 از مقایسه کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا لکسار NM100 SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی	کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	لکسار NM100 SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	38,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	51,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 128 ترابایت (TBW)	350 (TBW) ترابایت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 پشتیبانی از SLC Cache پشتیبانی کدینگ LPDC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
اندازه و ابعاد	2.25 * 22 * 80 میلی‌متر	3.40 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت سینک) ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت سینک)
وزن محصول	9 گرم	10 گرم (با هیت سینک) ** 7 گرم (بدون هیت سینک)
نشانگر وضعیت LED	false	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D TLC NAND
نرخ نوشتن ترتیبی	-	3700 مگابایت بر ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

msi VS کلو

ویژگی	کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0	PCIe 4.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	PHISON E26	-
نرخ خواندن ترتیبی	10000 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	10000 مگابایت بر ثانیه	3700 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,400,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,500,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	-
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)	350 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی	حداکثر 11 وات هنگام استفاده	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 پشتیبانی از SLC Cache پشتیبانی کدینگ LPDC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک	3.40 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت سینک) ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت سینک)
نشانگر وضعیت LED	false	-
وزن محصول	-	10 گرم (با هیت سینک) ** 7 گرم (بدون هیت سینک)

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه دیتاپلاس DP800 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایتبا کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ای دیتا VS کلو

ویژگی	دیتاپلاس DP800 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت	کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	120 MB	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	400 مگابایت بر ثانیه	3700 مگابایت بر ثانیه
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
وزن محصول	35 گرم	10 گرم (با هیت سینک) ** 7 گرم (بدون هیت سینک)
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D TLC NAND
حافظه DRAM	-	false
طول عمر متوسط	-	350 (TBW) ترابایت
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت‌های جانبی	-	نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 پشتیبانی از SLC Cache پشتیبانی کدینگ LPDC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
اندازه و ابعاد	-	3.40 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت سینک) ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت سینک)

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا کلو NEO N400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

کلو VS کلو

ویژگی	کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	کلو NEO N400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	500 MB
کنترلر (Controller)	Phison S11T	-
نرخ خواندن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر لرزش و ضربه الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018	نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 پشتیبانی از SLC Cache پشتیبانی کدینگ LPDC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, BSMI	-
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر	3.40 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت سینک) ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت سینک)
وزن محصول	37 گرم	10 گرم (با هیت سینک) ** 7 گرم (بدون هیت سینک)
نشانگر وضعیت LED	false	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D TLC NAND
نرخ نوشتن ترتیبی	-	3700 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	-	350 (TBW) ترابایت

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Red SA500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

وسترن دیجیتال VS کلو

ویژگی	کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	وسترن دیجیتال Red SA500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	SanDisk BiCS3 64L TLC	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Marvell 88SS1074	-
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	530 مگابایت بر ثانیه	3700 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	95,000ّIOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	85,000ّIOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTTF) ** 350 ترابایت (TBW)	350 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی	52 میلی‌وات * حالت فعال ** 2.05 وات * حالت خواندن ** 3.35 وات * حالت نوشتن ** 56 میلی‌وات * حالت Slumber ** 5 تا 7 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI	-
اندازه و ابعاد	7 × 69.85 × 100.2 ميلی‌متر	3.40 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت سینک) ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت سینک)
وزن محصول	37.4 گرم	10 گرم (با هیت سینک) ** 7 گرم (بدون هیت سینک)
نشانگر وضعیت LED	false	-
قابلیت‌های جانبی	-	نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 پشتیبانی از SLC Cache پشتیبانی کدینگ LPDC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کروشیال P5 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

Crucial VS کلو

ویژگی	کروشیال P5 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1400 مگابایت بر ثانیه	3700 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
طول عمر متوسط	150 (TBW) ترابایت	350 (TBW) ترابایت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
قابلیت‌های جانبی	-	نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 پشتیبانی از SLC Cache پشتیبانی کدینگ LPDC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
اندازه و ابعاد	-	3.40 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت سینک) ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت سینک)
وزن محصول	-	10 گرم (با هیت سینک) ** 7 گرم (بدون هیت سینک)

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

Samsung VS کلو

ویژگی	کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c	PCIe 4.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Samsung Elpis	-
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5100 مگابایت بر ثانیه	3700 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,000,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,000,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	2 MB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)	350 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی	6.1 وات * حالت خواندن ** 5.6 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	3.40 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت سینک) ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت سینک)
وزن محصول	9 گرم	10 گرم (با هیت سینک) ** 7 گرم (بدون هیت سینک)
نشانگر وضعیت LED	false	-
قابلیت‌های جانبی	-	نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 پشتیبانی از SLC Cache پشتیبانی کدینگ LPDC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

Samsung VS کلو

ویژگی	کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung 3-bit 2D TLC NAND	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Samsung MGX	-
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	3700 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	97,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	88,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	256MB DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)	350 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی	3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	3.40 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت سینک) ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت سینک)
وزن محصول	45 گرم	10 گرم (با هیت سینک) ** 7 گرم (بدون هیت سینک)
نشانگر وضعیت LED	false	-
قابلیت‌های جانبی	-	نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 پشتیبانی از SLC Cache پشتیبانی کدینگ LPDC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Green SN350 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

وسترن دیجیتال VS کلو

ویژگی	کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	وسترن دیجیتال Green SN350 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2400 مگابایت بر ثانیه	3700 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	300,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	300,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,000,000 ساعت (MTTF) ** 40 ترابایت (TBW)	350 (TBW) ترابایت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** نرم‌افزار Western Digital SSD Dashboard	نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 پشتیبانی از SLC Cache پشتیبانی کدینگ LPDC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CAN ICES-3(B)/NMB-3(B), CE, FCC, KCC, Morocco, RCM, TUV, UL, VCCI	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر	3.40 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت سینک) ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت سینک)
وزن محصول	7.5 گرم	10 گرم (با هیت سینک) ** 7 گرم (بدون هیت سینک)
نشانگر وضعیت LED	false	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ PM1735 MZPLJ6T4HALA-00007 ظرفیت 6.4 ترابایت

Samsung VS کلو

ویژگی	کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ PM1735 MZPLJ6T4HALA-00007 ظرفیت 6.4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x8	PCIe 4.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه	HHHL	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	6.4 ترابایت	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	8000 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3800 مگابایت بر ثانیه	3700 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,500,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D TLC NAND
طول عمر متوسط	-	350 (TBW) ترابایت
قابلیت‌های جانبی	-	نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 پشتیبانی از SLC Cache پشتیبانی کدینگ LPDC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
اندازه و ابعاد	-	3.40 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت سینک) ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت سینک)
وزن محصول	-	10 گرم (با هیت سینک) ** 7 گرم (بدون هیت سینک)

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا ایکس انرژی Gold Drive SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

ایکس انرژی VS کلو

ویژگی	کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	ایکس انرژی Gold Drive SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC	3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	400 مگابایت بر ثانیه	3700 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	2,000,000 (MTBF) ساعت	350 (TBW) ترابایت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 16G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 پشتیبانی از SLC Cache پشتیبانی کدینگ LPDC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS, CE, FCC	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
اندازه و ابعاد	-	3.40 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت سینک) ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت سینک)
وزن محصول	-	10 گرم (با هیت سینک) ** 7 گرم (بدون هیت سینک)

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ایسوس ROG Strix ARION USB 3.2 Gen 2x1 ظرفیت 512 گیگابایتبا کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ASUS VS کلو

ویژگی	ایسوس ROG Strix ARION USB 3.2 Gen 2x1 ظرفیت 512 گیگابایت	کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2	2280 M.2
شیوه اتصال	Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	500 MB
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 40 درجه سانتیگراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 7 به بالا Mac OS X 10.6 به بالا ان*وید (دستگاه‌های دارای OTG)	-
قابلیت‌های جانبی	سرعت انتقال داده تا 10 گیگابیت بر ثانیه پشتیبانی از SSD با فرم فکتورهای 2230/2242/2260/2280 دارای نگهدارنده با قلاب R شکل به منظور حمل آسان ** دارای نورپردازی ARGB با پشتیبانی از فناوری ASUS Aura Sync و ROG Strix Arion	نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 پشتیبانی از SLC Cache پشتیبانی کدینگ LPDC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
مواد بدنه	آلومینیوم	-
اندازه و ابعاد	10.9 * 47.7 * 124.5 میلی‌متر	3.40 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت سینک) ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت سینک)
وزن محصول	98 گرم	10 گرم (با هیت سینک) ** 7 گرم (بدون هیت سینک)
نشانگر وضعیت LED	true	-
محتویات جعبه	کابل USB-C به USB-A کابل USB-C به USB-C پین اجکتور ** دفترچه راهنما	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x4 / NVMe
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	-	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	3700 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	-	350 (TBW) ترابایت

مشاهده جزئیات مقایسه