صفحه 5 از مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818با کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

برند نامشخص VS کلو
ویژگی

اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818

کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND SK Hynix 3D 72-Layer NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 1300 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۲۰۰ 400 (TBW) ترابایت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر) 2.2 * 24 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۷.۵ گرم 45 گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS CE, FCC, KCC, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - SMI SM2263EN
حافظه DRAM - false
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPNبا کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN

کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱.۶ ترابایت 960 MB
اندازه و ابعاد ۲.۵" 2.2 * 24 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - SK Hynix 3D 72-Layer NAND
کنترلر (Controller) - SMI SM2263EN
نرخ خواندن ترتیبی - 1500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 1300 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM - false
طول عمر متوسط - 400 (TBW) ترابایت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, KCC, BSMI
وزن محصول - 45 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

برند نامشخص VS کلو
ویژگی

SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828

کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND SK Hynix 3D 72-Layer NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 1300 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰ 400 (TBW) ترابایت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر) 2.2 * 24 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۷.۵ گرم 45 گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS CE, FCC, KCC, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - SMI SM2263EN
حافظه DRAM - false
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZبا کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZ

کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۳.۸۴ ترابایت 960 MB
اندازه و ابعاد ۲.۵" 2.2 * 24 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری No -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - SK Hynix 3D 72-Layer NAND
کنترلر (Controller) - SMI SM2263EN
نرخ خواندن ترتیبی - 1500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 1300 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM - false
طول عمر متوسط - 400 (TBW) ترابایت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, KCC, BSMI
وزن محصول - 45 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایتبا SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1

ویژگی

کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 960 MB ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) SK Hynix 3D 72-Layer NAND QLC ۳D NAND
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1300 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت ۱۸۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, BSMI RoHS
اندازه و ابعاد 2.2 * 24 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۷.۱ میلی‌متر)
وزن محصول 45 گرم ۴۰ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد

مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ویژگی

کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 960 MB ۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) SK Hynix 3D 72-Layer NAND V-NAND MLC
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1300 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, BSMI -
اندازه و ابعاد 2.2 * 24 * 80 میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 45 گرم ۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد

مقایسه SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCSبا کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

ویژگی

SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCS

کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND SK Hynix 3D 72-Layer NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۳۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 1300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۰۰۰۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۱۶۵۰۰۰۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۱۴۸۰ 400 (TBW) ترابایت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۴.۵ میلی‌متر) 2.2 * 24 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۱۲ گرم 45 گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, UKCA CE, FCC, KCC, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - SMI SM2263EN
حافظه DRAM - false
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

ویژگی

کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 64L 3D TLC NAND SK Hynix 3D 72-Layer NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2258XT SMI SM2263EN
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 1300 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTTF) ** 720 ترابایت (TBW) 400 (TBW) ترابایت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, CE, WEEE, ROHS, EPEAT, Halogen Free, SATA-IO, ICES CE, FCC, KCC, BSMI
اندازه و ابعاد 9 * 95 * 125 میلی‌متر 2.2 * 24 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 70 گرم 45 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 960 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) SK Hynix 3D 72-Layer NAND Samsung V-NAND 2-bit MLC
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1300 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2400 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, BSMI -
اندازه و ابعاد 2.2 * 24 * 80 میلی‌متر 6.8 × 69.85 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 62 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 100.000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 90.000IOPS
نوع حافظه DRAM - 2 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
میزان توان مصرفی - 2.2 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667

مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 960 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) SK Hynix 3D 72-Layer NAND Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1300 مگابایت بر ثانیه 1900 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, BSMI -
اندازه و ابعاد 2.2 * 24 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 380,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 360,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 1GB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی - 5.7 وات * حالت خواندن ** 4.8 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Blue WDS250G2B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

وسترن دیجیتال Blue WDS250G2B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 960 MB 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) SK Hynix 3D 72-Layer NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1300 مگابایت بر ثانیه 525 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت 1,750,000 (MTTF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, BSMI FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI, Morocco
اندازه و ابعاد 2.2 * 24 * 80 میلی‌متر 7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 37.4 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 95,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 81,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی - 52 میلی‌وات به صورت میانگین ** 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.25 وات * حالت نوشتن ** 56 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 تا 7 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر حداکثر 5.0G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Western Digital SSD Dashboard ** نرم‌افزار Acronis True Image WD Edition

مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 960 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) SK Hynix 3D 72-Layer NAND Samsung V-NAND 2-bit MLC
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1300 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, BSMI -
اندازه و ابعاد 2.2 * 24 * 80 میلی‌متر 6.8 × 69.8 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 51 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 100.000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 90,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 512MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
میزان توان مصرفی - 2 وات * حالت خواندن ** 2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit