صفحه 5 از مقایسه کیوکسیا BG5 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کیوکسیا BG5 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ویژگی

کیوکسیا BG5 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4 x 4 / NVMe 1.4 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 350,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 85 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 4 W -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
اندازه و ابعاد 2.23 * 22 * 80 میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 5.8 گرم ۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه کیوکسیا BG5 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

ویژگی

کیوکسیا BG5 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4 x 4 / NVMe 1.4 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC ۳D cMLC
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 350,000IOPS ۲۴۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS ۲۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 85 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 4 W -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
اندازه و ابعاد 2.23 * 22 * 80 میلی‌متر M.2 (۲۲ * ۱۱۰ * ۲ میلی‌متر)
وزن محصول 5.8 گرم ۱۴ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
رنگ‌بندی - Black, Green

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2230 کینگستون NV3 500 گیگابایتبا کیوکسیا BG5 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2230 کینگستون NV3 500 گیگابایت

کیوکسیا BG5 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۵۰۰ گیگابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۳۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 1900 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۶۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 85 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر) 2.23 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۲.۶ گرم 5.8 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 4 x 4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 360,000IOPS
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
میزان توان مصرفی - 4 W
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300با کیوکسیا BG5 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300

کیوکسیا BG5 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 4 x 4 / NVMe 1.4
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 1900 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۷۰۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 85 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) 2.23 * 22 * 80 میلی‌متر
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 360,000IOPS
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
میزان توان مصرفی - 4 W
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
وزن محصول - 5.8 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه کیوکسیا BG5 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1

ویژگی

کیوکسیا BG5 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4 x 4 / NVMe 1.4 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC QLC ۳D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 350,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 85 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW) ۱۸۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 4 W -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
اندازه و ابعاد 2.23 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۷.۱ میلی‌متر)
وزن محصول 5.8 گرم ۴۰ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه کیوکسیا BG5 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526

ویژگی

کیوکسیا BG5 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4 x 4 / NVMe 1.4 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 350,000IOPS ۹۷۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS ۳۱۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 85 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 4 W -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
اندازه و ابعاد 2.23 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)
وزن محصول 5.8 گرم ۷۰ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه کیوکسیا BG5 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe

ویژگی

کیوکسیا BG5 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4 x 4 / NVMe 1.4 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC TLC
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه ۲۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 350,000IOPS ۳۸۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS ۴۴۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 85 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 4 W -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
اندازه و ابعاد 2.23 * 22 * 80 میلی‌متر M.۲
وزن محصول 5.8 گرم ۹ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
رنگ‌بندی - Black, Green

مقایسه کیوکسیا BG5 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

کیوکسیا BG5 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4 x 4 / NVMe 1.4 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC Samsung V-NAND 2-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 350,000IOPS 100.000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS 90.000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 85 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 5 ولت
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 4 W 2.2 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
اندازه و ابعاد 2.23 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 × 69.85 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول 5.8 گرم 62 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
نوع حافظه DRAM - 2 MB LPDDR4
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667

مقایسه کیوکسیا BG5 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

کیوکسیا BG5 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4 x 4 / NVMe 1.4 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC Samsung V-NAND 2-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 350,000IOPS 100.000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS 90,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 85 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 5 ولت
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 4 W 2 وات * حالت خواندن ** 2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
اندازه و ابعاد 2.23 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 × 69.8 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول 5.8 گرم 51 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
نوع حافظه DRAM - 512MB LPDDR4
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit

مقایسه کیوکسیا BG5 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

کیوکسیا BG5 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4 x 4 / NVMe 1.4 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC Samsung V-NAND 4-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 350,000IOPS 96,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS 89,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 85 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 5 ولت
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 4 W 2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
اندازه و ابعاد 2.23 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 5.8 گرم 62 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
نوع حافظه DRAM - 1GB LPDDR4
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit

مقایسه ای دیتا XPG SX900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایتبا کیوکسیا BG5 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا XPG SX900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

کیوکسیا BG5 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4 x 4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC NAND TLC
کنترلر (Controller) SandForce 2281 -
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 1900 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 91,000IOPS 360,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 85 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,000,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 0.8 وات * حالت فعال ** 0.4 وات * حالت آماده باش 4 W
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه XP و بالاتر ** مک ** لینوکس -
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100.45 میلی‌متر 2.23 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 68 گرم 5.8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 350,000IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مقایسه کیوکسیا BG5 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

ویژگی

کیوکسیا BG5 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4 x 4 / NVMe 1.4 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 480 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC Micron 3D QLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 350,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 85 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 5 ولت / 1.6 آمپر
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW) 168 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی 4 W -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد 2.23 * 22 * 80 میلی‌متر 7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر
وزن محصول 5.8 گرم 34 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - DM928
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, VCCI,RCM