صفحه 13 از مقایسه کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی	کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	4 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2800 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 640 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 4800 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش	-
اندازه و ابعاد	2.2 * 22 * 80 میلی‌متر	6.8 × 69.85 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول	7 گرم	62 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 2-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	100.000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	90.000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	4 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
میزان توان مصرفی	-	2.2 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 7 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ اسپک MT-XXX mSATA ظرفیت 64 گیگابایتبا کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

کینگستون VS KingSpec

ویژگی	کینگ اسپک MT-XXX mSATA ظرفیت 64 گیگابایت	کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	mSATA
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	64 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	580 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2800 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 640 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 87 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش	الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی
اندازه و ابعاد	2.2 * 22 * 80 میلی‌متر	3.5 * 30 * 50.8 میلی‌متر
وزن محصول	7 گرم	41 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D MLC NAND
محدوده دمای عملیاتی	-	منفی 20 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

کینگستون VS GIGABYTE

ویژگی	گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت	کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	128 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	1100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2800 مگابایت بر ثانیه	1700 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 640 ترابایت (TBW)	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش	پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box
اندازه و ابعاد	2.2 * 22 * 80 میلی‌متر	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	7 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	NAND Flash
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	180,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	-	2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

کینگستون VS Samsung

ویژگی	کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	512 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2800 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 640 ترابایت (TBW)	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش	-
اندازه و ابعاد	2.2 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	7 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung TLC V-NAND
کنترلر (Controller)	-	S4LV003
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	800,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگستون VS msi

ویژگی	کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2800 مگابایت بر ثانیه	4500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 640 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش	کدینگ LPDC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها
اندازه و ابعاد	2.2 * 22 * 80 میلی‌متر	2.15 × 22 × 80 ميلی‌متر
وزن محصول	7 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D NAND
کنترلر (Controller)	-	PHISON E21T
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	550,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	950,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتیگراد
میزان توان مصرفی	-	4.3 وات * حالت استفاده ** 50 میلی‌وات * حالت Idle

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

کینگستون VS Samsung

ویژگی	کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	4 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2800 مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 640 ترابایت (TBW)	1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
اندازه و ابعاد	2.2 * 22 * 80 میلی‌متر	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	7 گرم	9 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung in-house Controller
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,550,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

کینگستون VS کینگ مکس

ویژگی	کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	512 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	1950 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2800 مگابایت بر ثانیه	1550 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 640 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه
اندازه و ابعاد	2.2 * 22 * 80 میلی‌متر	22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	7 گرم	10 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D NAND
کنترلر (Controller)	-	Phison PS5012-E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	130,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	230,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
میزان توان مصرفی	-	3.5 وات در حالت فعال

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا LEGEND 750 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

کینگستون VS ای دیتا

ویژگی	ای دیتا LEGEND 750 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4	PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2800 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 640 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش پشتیبانی از نرم‌افزار SSD Toolbox ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد	2.2 * 22 * 80 میلی‌متر	3.1 * 22 * 80 میلی‌متر با هیت سینک ** 2.1 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سینک
وزن محصول	7 گرم	9 گرم با هیت سینک ** 6.2 گرم بدون هیت سینک
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D NAND
کنترلر (Controller)	-	MAP1202
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	260,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتیگراد
فناوری رمزنگاری	-	AES 256bit
رنگ‌بندی	-	آبی

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر MP600 PRO XT NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

کینگستون VS Corsair

ویژگی	کورسیر MP600 PRO XT NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت	کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	4 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	7100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2800 مگابایت بر ثانیه	6800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 640 ترابایت (TBW)	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 3000 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 صد و دمای 40 جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox
اندازه و ابعاد	2.2 * 22 * 80 میلی‌متر	-
وزن محصول	7 گرم	660 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D TLC NAND
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,200,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

کینگستون VS msi

ویژگی	کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	3600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2800 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 640 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد	2.2 * 22 * 80 میلی‌متر	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	7 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D NAND
کنترلر (Controller)	-	PHISON E19T
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	550,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتیگراد
میزان توان مصرفی	-	حداکثر 3.4 وات هنگام استفاده ** 40 میلی‌وات * حالت Idle

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر MP600 PRO LPX NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

کینگستون VS Corsair

ویژگی	کورسیر MP600 PRO LPX NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت	کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	4 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	7100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2800 مگابایت بر ثانیه	6800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 640 ترابایت (TBW)	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 3000 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 صد و دمای 40 جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox
اندازه و ابعاد	2.2 * 22 * 80 میلی‌متر	11 * 23 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	7 گرم	410 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D TLC NAND
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	سازگار با پلی‌استیشن 5 مک OS ایکس ویندوز 10

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی EX950 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

کینگستون VS اچ پی

ویژگی	اچ پی EX950 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2800 مگابایت بر ثانیه	2900 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 640 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 650 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد	2.2 * 22 * 80 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	7 گرم	5.4 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Micron 64L TLC NAND
کنترلر (Controller)	-	SMI SM2262EN
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	410,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	370,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	1 MB Micron DDR3
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	-	6.93 وات * حالت فعال ** 0.73 وات * حالت Idle
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM

مشاهده جزئیات مقایسه