صفحه 5 از مقایسه کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886

ویژگی	کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	No
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۱.۹۲ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 480 ترابایت (TBW)	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	1.1 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 0.005 * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش	-
اندازه و ابعاد	2.1 * 22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)
وزن محصول	7 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	V-NAND TLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۸۲۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۴۷۵۰۰ IOPS
فناوری رمزنگاری	-	No

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526

کینگستون VS لنوو

ویژگی	کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۱.۹۲ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 480 ترابایت (TBW)	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	1.1 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 0.005 * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش	-
اندازه و ابعاد	2.1 * 22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)
وزن محصول	7 گرم	۷۰ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	V-NAND TLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۹۷۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۳۱۰۰۰ IOPS
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

برند نامشخص VS کینگستون

ویژگی	SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828	کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	-
نرخ خواندن ترتیبی	۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	1700 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۵۰۰	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 480 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر)	2.1 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۷.۵ گرم	7 گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
حافظه DRAM	-	false
میزان توان مصرفی	-	1.1 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 0.005 * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954

کینگستون VS لنوو

ویژگی	کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۵۱۲ گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	۴۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 480 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	1.1 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 0.005 * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش	-
اندازه و ابعاد	2.1 * 22 * 80 میلی‌متر	2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۲۳ میلی‌متر)
وزن محصول	7 گرم	۷.۲ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2230 کینگستون NV3 500 گیگابایت

کینگستون VS کینگستون

ویژگی	کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2230 کینگستون NV3 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۵۰۰ گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	۳۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 480 ترابایت (TBW)	۱۶۰
میزان توان مصرفی	1.1 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 0.005 * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش	-
اندازه و ابعاد	2.1 * 22 * 80 میلی‌متر	2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)
وزن محصول	7 گرم	۲.۶ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	۳D NAND

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

کینگستون VS سامسونگ

ویژگی	کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۲۵۰ گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 480 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	1.1 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 0.005 * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش	-
اندازه و ابعاد	2.1 * 22 * 80 میلی‌متر	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول	7 گرم	۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	V-NAND MLC

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874

کینگستون VS لنوو

ویژگی	کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	No
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۹۶۰ گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 480 ترابایت (TBW)	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	1.1 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 0.005 * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش	-
اندازه و ابعاد	2.1 * 22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)
وزن محصول	7 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	V-NAND TLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۸۱۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۲۸۰۰۰ IOPS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

کینگستون VS PNY

ویژگی	کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	4 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	3900 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 480 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 6800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	1.1 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 0.005 * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار PNY PCIe SSD Toolbox
اندازه و ابعاد	2.1 * 22 * 80 میلی‌متر	4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	7 گرم	6.6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D NAND
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 7 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI, KCC

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا پی ان وای CS3140 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

کینگستون VS PNY

ویژگی	کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	پی ان وای CS3140 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	7500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	6850 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 480 ترابایت (TBW)	2,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	1.1 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 0.005 * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار PNY PCIe SSD Toolbox
اندازه و ابعاد	2.1 * 22 * 80 میلی‌متر	20.5 * 22.8 * 80.4 میلی‌متر (با پوشش حرارتی) ** 4 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون پوشش حرارتی)
وزن محصول	7 گرم	45 گرم (با پوشش حرارتی) ** 6.6 گرم (بدون پوشش حرارتی)
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D NAND
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 7 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

کینگستون VS PNY

ویژگی	کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	4300 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 480 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 3600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	1.1 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 0.005 * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار PNY PCIe SSD Toolbox
اندازه و ابعاد	2.1 * 22 * 80 میلی‌متر	4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	7 گرم	6.6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D NAND
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 7 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI, KCC

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ اسپک NT-XXX SATA M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایتبا کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

KingSpec VS کینگستون

ویژگی	کینگ اسپک NT-XXX SATA M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت	کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	-
نرخ خواندن ترتیبی	580 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	1700 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 349 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 480 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	2.1 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
میزان توان مصرفی	-	1.1 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 0.005 * حالت Idle
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش
وزن محصول	-	7 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگستون VS Samsung

ویژگی	کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	1900 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 480 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	1.1 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 0.005 * حالت Idle	5.7 وات * حالت خواندن ** 4.8 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش	-
اندازه و ابعاد	2.1 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	7 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	380,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	360,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	1GB LP DDR3
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه