1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD
  6. مقایسه SSD اینترنال
  7. صفحه 3

صفحه 3 از مقایسه کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایت

کینگستون VS کینگستون
ویژگی

کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۱ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه ۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 480 ترابایت (TBW) ۳۲۰
میزان توان مصرفی 1.1 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 0.005 * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش -
اندازه و ابعاد 2.1 * 22 * 80 میلی‌متر 2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)
وزن محصول 7 گرم ۲.۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
مشخصات حافظه فلش (Flash) - ۳D NAND
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S
VS
مقایسه کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

مقایسه کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

کینگستون VS سی‌گیت
ویژگی

کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۱۵ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه ۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 480 ترابایت (TBW) ۲۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 1.1 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 0.005 * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش -
اندازه و ابعاد 2.1 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
وزن محصول 7 گرم ۲۰۵ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
مشخصات حافظه فلش (Flash) - ۳D eTLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۱۹۵۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۱۲ V
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO
VS
مقایسه کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO

مقایسه کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO

کینگستون VS سامسونگ
ویژگی

کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۱ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه ۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه ۲۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 480 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 1.1 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 0.005 * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش -
اندازه و ابعاد 2.1 * 22 * 80 میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 7 گرم ۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
مشخصات حافظه فلش (Flash) - V-NAND MLC
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۳.۳ V
رنگ‌بندی - مشکی
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe
VS
مقایسه کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe

مقایسه کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe

کینگستون VS سامسونگ
ویژگی

کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۱ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه ۲۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 480 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 1.1 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 0.005 * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش -
اندازه و ابعاد 2.1 * 22 * 80 میلی‌متر M.۲
وزن محصول 7 گرم ۹ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
مشخصات حافظه فلش (Flash) - TLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۳۸۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۴۴۰۰۰۰ IOPS
رنگ‌بندی - Black, Green
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883
VS
مقایسه کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

مقایسه کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

کینگستون VS سامسونگ
ویژگی

کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۳.۸۴ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 480 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 1.1 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 0.005 * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش -
اندازه و ابعاد 2.1 * 22 * 80 میلی‌متر ۲.۵"
وزن محصول 7 گرم ۵۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۳۰۰۰۰ IOPS
رنگ‌بندی - مشکی
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با SSD اینترنال پری دیتور مدل GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با SSD اینترنال پری دیتور مدل GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا SSD اینترنال پری دیتور مدل GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 ظرفیت 2 ترابایت

کینگستون VS پردیتور
ویژگی

کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

SSD اینترنال پری دیتور مدل GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۲ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه ۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه ۶۳۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 480 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 1.1 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 0.005 * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش -
اندازه و ابعاد 2.1 * 22 * 80 میلی‌متر 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۲ میلی‌متر)
وزن محصول 7 گرم ۷ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۹۲۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۹۷۴۰۰۰ IOPS
مجوزها و تاییدیه‌ها - BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), KCC, RCM, RoHS, VCCI
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit با کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit با کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kitبا کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اچ پی VS کینگستون
ویژگی

SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit

کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

وزن محصول ۳۴.۴ گرم 7 گرم
اندازه و ابعاد ۸۲ * ۳۰ * ۱۲ میلی‌متر 2.1 * 22 * 80 میلی‌متر
محتویات جعبه HP Z Turbo ۵۱۲GB PCIe-۴x۴ Z۴/Z۶ SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه - 2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی - 2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 1700 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM - false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 480 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 1.1 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 0.005 * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایت
VS
مقایسه کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایت

مقایسه کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایت

کینگستون VS کینگستون
ویژگی

کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۵.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۲ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه ۱۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 480 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 1.1 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 0.005 * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش -
اندازه و ابعاد 2.1 * 22 * 80 میلی‌متر 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)
وزن محصول 7 گرم ۷.۷ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
مشخصات حافظه فلش (Flash) - ۳D TLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828 با کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828 با کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

برند نامشخص VS کینگستون
ویژگی

SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828

کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND -
نرخ خواندن ترتیبی ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 1700 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 480 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر) 2.1 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۷.۵ گرم 7 گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
حافظه DRAM - false
میزان توان مصرفی - 1.1 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 0.005 * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)
VS
مقایسه کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

مقایسه کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

کینگستون VS سامسونگ
ویژگی

کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۴ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 480 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 1.1 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 0.005 * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش -
اندازه و ابعاد 2.1 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول 7 گرم ۴۶ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
مشخصات حافظه فلش (Flash) - V-NAND MLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۸۸۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO
VS
مقایسه کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

مقایسه کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

کینگستون VS سامسونگ
ویژگی

کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۱ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه ۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 480 ترابایت (TBW) ۶۰۰
میزان توان مصرفی 1.1 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 0.005 * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش -
اندازه و ابعاد 2.1 * 22 * 80 میلی‌متر ۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
وزن محصول 7 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
مشخصات حافظه فلش (Flash) - V-NAND TLC
مجوزها و تاییدیه‌ها - Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)
VS
مقایسه کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

مقایسه کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

کینگستون VS سامسونگ
ویژگی

کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۱ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 480 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 1.1 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 0.005 * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش -
اندازه و ابعاد 2.1 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول 7 گرم ۴۶ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
مشخصات حافظه فلش (Flash) - QLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۸۸۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
مشاهده جزئیات مقایسه