صفحه 5 از مقایسه کینگ مکس PX3280 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کینگ مکس PX3280 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526

ویژگی	کینگ مکس PX3280 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.2	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی	1750 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	950 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	230,000IOPS	۹۷۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	۳۱۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	2,000,000 (MTBF) ساعت	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS, CE, FCC	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)
وزن محصول	10 گرم	۷۰ گرم
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس PX3280 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا SSD اینترنال 135398

کینگ مکس VS Samsung

ویژگی	کینگ مکس PX3280 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	SSD اینترنال 135398
نوع کاربری حافظه	اینترنال	حافظه فلش NAND
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	M.2 2280
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.2	PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	فرم فاکتور M.2 2280
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	آخرین حافظه NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1750 مگابایت بر ثانیه	7150 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	950 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	230,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	2,000,000 (MTBF) ساعت	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه	فناوری HMB، Intelligent Turbowrite 2.0
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS, CE, FCC	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	M.2 2280
وزن محصول	10 گرم	-
شیوه اتصال	-	NVMe
کنترلر (Controller)	-	کنترلر با روکش نیکل
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	کامپیوتر شخصی، لپ‌تاپ
فناوری رمزنگاری	-
محتویات جعبه	-	SSD (MZ-V9S1T0B/AM)
میزان توان مصرفی	-	کارآمد

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس PX3280 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

کینگ مکس VS سامسونگ

ویژگی	کینگ مکس PX3280 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.2	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	1750 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	950 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	230,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	2,000,000 (MTBF) ساعت	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS, CE, FCC	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول	10 گرم	۸ گرم
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس PX3280 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049

کینگ مکس VS لنوو

ویژگی	کینگ مکس PX3280 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۲.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.2	No
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۲۴۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	-
نرخ خواندن ترتیبی	1750 مگابایت بر ثانیه	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	950 مگابایت بر ثانیه	۲۵۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	230,000IOPS	۷۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	۲۶۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	2,000,000 (MTBF) ساعت	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS, CE, FCC	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	M.۲
وزن محصول	10 گرم	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس PX3280 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661

کینگ مکس VS لنوو

ویژگی	کینگ مکس PX3280 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.2	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۵۱۲ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	-
نرخ خواندن ترتیبی	1750 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	950 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	230,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	2,000,000 (MTBF) ساعت	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS, CE, FCC	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول	10 گرم	۶.۵ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس PX3280 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMe

کینگ مکس VS کینگستون

ویژگی	کینگ مکس PX3280 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.2	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	-
نرخ خواندن ترتیبی	1750 مگابایت بر ثانیه	۲۱۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	950 مگابایت بر ثانیه	۱۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	230,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	2,000,000 (MTBF) ساعت	۴۸۰
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS, CE, FCC	CE, RoHS
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	M.2 (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر)
وزن محصول	10 گرم	۷ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس PX3280 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758

کینگ مکس VS لنوو

ویژگی	کینگ مکس PX3280 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.2	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	-
نرخ خواندن ترتیبی	1750 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	950 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	230,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۶ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	2,000,000 (MTBF) ساعت	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS, CE, FCC	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	M.2 (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول	10 گرم	۹ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس PX3280 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

کینگ مکس VS Samsung

ویژگی	کینگ مکس PX3280 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.2	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung 48-Layer MLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1750 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	950 مگابایت بر ثانیه	2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	230,000IOPS	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	330,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	2,000,000 (MTBF) ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS, CE, FCC	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم	8.3 گرم
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
میزان توان مصرفی	-	5.1 وات * حالت خواندن ** 4.7 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس PX3280 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

کینگ مکس VS Samsung

ویژگی	کینگ مکس PX3280 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.2	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	1750 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	950 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	230,000IOPS	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	88,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	5 ولت
طول عمر متوسط	2,000,000 (MTBF) ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS, CE, FCC	CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم	46 گرم
کنترلر (Controller)	-	Samsung MKX
نوع حافظه DRAM	-	2 MB LPDDR4
میزان توان مصرفی	-	2.2 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت Idle ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس PX3280 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

کینگ مکس VS Samsung

ویژگی	کینگ مکس PX3280 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.2	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 4-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	1750 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	950 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	230,000IOPS	96,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	89,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	5 ولت
طول عمر متوسط	2,000,000 (MTBF) ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS, CE, FCC	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم	62 گرم
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
نوع حافظه DRAM	-	1GB LPDDR4
میزان توان مصرفی	-	2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایتبا کینگ مکس PX3280 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

Crucial VS کینگ مکس

ویژگی	کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت	کینگ مکس PX3280 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64L 3D TLC NAND	3D NAND
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2258XT	-
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	1750 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	950 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTTF) ** 360 ترابایت (TBW)	2,000,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, CE, WEEE, ROHS, EPEAT, Halogen Free, SATA-IO, ICES	RoHS, CE, FCC
اندازه و ابعاد	9 * 95 * 125 میلی‌متر	22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	70 گرم	10 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	230,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	200,000IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا کینگ مکس PX3280 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

Crucial VS کینگ مکس

ویژگی	کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت	کینگ مکس PX3280 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64L 3D TLC NAND	3D NAND
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2258XT	-
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	1750 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	950 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTTF) ** 720 ترابایت (TBW)	2,000,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, CE, WEEE, ROHS, EPEAT, Halogen Free, SATA-IO, ICES	RoHS, CE, FCC
اندازه و ابعاد	9 * 95 * 125 میلی‌متر	22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	70 گرم	10 گرم
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	230,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	200,000IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه

مشاهده جزئیات مقایسه