صفحه 5 از مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ویژگی	کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4x4 / NVMe 1.4	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2700 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 560 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول	8.5 گرم	۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kitبا کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS کینگ مکس

ویژگی	SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit	کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
وزن محصول	۳۴.۴ گرم	8.5 گرم
اندازه و ابعاد	۸۲ * ۳۰ * ۱۲ میلی‌متر	22 * 80 میلی‌متر
محتویات جعبه	HP Z Turbo ۵۱۲GB PCIe-۴x۴ Z۴/Z۶ SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	-	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	-	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	2700 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 560 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758

کینگ مکس VS لنوو

ویژگی	کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4x4 / NVMe 1.4	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	-
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	2700 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۶ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 560 ترابایت (TBW)	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	M.2 (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول	8.5 گرم	۹ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

کینگ مکس VS سامسونگ

ویژگی	کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4x4 / NVMe 1.4	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2700 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 560 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول	8.5 گرم	۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875

کینگ مکس VS لنوو

ویژگی	کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4x4 / NVMe 1.4	No
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	2700 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	۸۲۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	۲۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 560 ترابایت (TBW)	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)
وزن محصول	8.5 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1

کینگ مکس VS سی‌گیت

ویژگی	کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4x4 / NVMe 1.4	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	QLC ۳D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2700 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 560 ترابایت (TBW)	۱۸۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۷.۱ میلی‌متر)
وزن محصول	8.5 گرم	۴۰ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

کینگ مکس VS سامسونگ

ویژگی	کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4x4 / NVMe 1.4	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2700 مگابایت بر ثانیه	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 560 ترابایت (TBW)	۶۰۰
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
وزن محصول	8.5 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا لکسار NS100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

کینگ مکس VS لکسار

ویژگی	کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	لکسار NS100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4x4 / NVMe 1.4	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	-
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2700 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 560 ترابایت (TBW)	256 (TBW) ترابایت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	مناسب لپ‌تاپ و دسکتاپ ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر
وزن محصول	8.5 گرم	34 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

کینگ مکس VS PNY

ویژگی	کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4x4 / NVMe 1.4	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2700 مگابایت بر ثانیه	4300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 560 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 3600 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار PNY PCIe SSD Toolbox
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8.5 گرم	6.6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 7 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI, KCC

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا SC685 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایتبا کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ای دیتا VS کینگ مکس

ویژگی	ای دیتا SC685 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت	کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
شیوه اتصال	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	530 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	460 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 35 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه 8 و بالاتر مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر ** ان*وید 5.0 و بالاتر	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه ** پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, CE, KC, EAC, RoHS	-
رنگ‌بندی	مشکی، سفید	-
اندازه و ابعاد	9.5 * 54.8 * 84.7 میلی‌متر	22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	35 گرم	8.5 گرم
نشانگر وضعیت LED	true	false
محتویات جعبه	کابل اتصال USB Type-C به USB Type-C تبدیل USB Type-A به USB Type-C دفترچه راهنما	-
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 560 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

کینگ مکس VS PNY

ویژگی	کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Toshiba 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2700 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 560 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 3115 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	2 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8.5 گرم	6.6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
کنترلر (Controller)	-	Phison PS5012-E12
فناوری رمزنگاری	-	AES 128-bit
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

کینگ مکس VS Samsung

ویژگی	کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4x4 / NVMe 1.4	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 2-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2700 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	100.000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	90.000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	5 ولت
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 560 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2400 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	6.8 × 69.85 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول	8.5 گرم	62 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
نوع حافظه DRAM	-	2 MB LPDDR4
میزان توان مصرفی	-	2.2 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه