صفحه 4 از مقایسه اینتل SSD 665p Series NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اینتل SSD 665p Series NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ویژگی

اینتل SSD 665p Series NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 96L QLC V-NAND MLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1925 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 160,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR3L -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 0.1 وات * حالت فعال ** 0.04 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit Yes
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 10 گرم ۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه اینتل SSD 665p Series NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMe

ویژگی

اینتل SSD 665p Series NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMe

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 96L QLC -
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه ۲۱۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1925 مگابایت بر ثانیه ۱۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 160,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR3L -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) ۴۸۰
میزان توان مصرفی 0.1 وات * حالت فعال ** 0.04 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر M.2 (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر)
وزن محصول 10 گرم ۷ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, RoHS

مقایسه اینتل SSD 665p Series NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1

ویژگی

اینتل SSD 665p Series NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 96L QLC QLC ۳D NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1925 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 160,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR3L -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) ۱۸۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 0.1 وات * حالت فعال ** 0.04 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۷.۱ میلی‌متر)
وزن محصول 10 گرم ۴۰ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه اینتل SSD 665p Series NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ویژگی

اینتل SSD 665p Series NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 96L QLC V-NAND MLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1925 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 160,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR3L -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 0.1 وات * حالت فعال ** 0.04 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit Yes
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 10 گرم ۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه اینتل SSD 665p Series NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ویژگی

اینتل SSD 665p Series NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 96L QLC V-NAND MLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1925 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 160,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR3L -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 0.1 وات * حالت فعال ** 0.04 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit Yes
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 10 گرم ۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه اینتل SSD 665p Series NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

ویژگی

اینتل SSD 665p Series NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۳.۸۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 96L QLC -
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1925 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 160,000IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS ۳۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR3L -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 0.1 وات * حالت فعال ** 0.04 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر ۲.۵"
وزن محصول 10 گرم ۵۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
رنگ‌بندی - مشکی

مقایسه اینتل SSD 665p Series NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

ویژگی

اینتل SSD 665p Series NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 96L QLC ۳D cMLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 1925 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 160,000IOPS ۲۴۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS ۲۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR3L -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 0.1 وات * حالت فعال ** 0.04 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر M.2 (۲۲ * ۱۱۰ * ۲ میلی‌متر)
وزن محصول 10 گرم ۱۴ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
رنگ‌بندی - Black, Green

مقایسه اینتل SSD 665p Series NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

ویژگی

اینتل SSD 665p Series NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 96L QLC V-NAND TLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1925 مگابایت بر ثانیه ۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 160,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR3L -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) ۶۰۰
میزان توان مصرفی 0.1 وات * حالت فعال ** 0.04 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit Yes
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر ۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
وزن محصول 10 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
مجوزها و تاییدیه‌ها - Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298با اینتل SSD 665p Series NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

برند نامشخص VS Intel
ویژگی

اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298

اینتل SSD 665p Series NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۳.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND Intel 96L QLC
نرخ خواندن ترتیبی ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 1925 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۶۰۰ 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر) 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۶ گرم 10 گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, VCCI -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2263EN
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 160,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 250,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR3L
میزان توان مصرفی - 0.1 وات * حالت فعال ** 0.04 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818با اینتل SSD 665p Series NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

برند نامشخص VS Intel
ویژگی

اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818

اینتل SSD 665p Series NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND Intel 96L QLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 1925 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۲۰۰ 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر) 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۷.۵ گرم 10 گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2263EN
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 160,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 250,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR3L
میزان توان مصرفی - 0.1 وات * حالت فعال ** 0.04 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اینتل SSD 665p Series NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe

ویژگی

اینتل SSD 665p Series NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 96L QLC TLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1925 مگابایت بر ثانیه ۲۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 160,000IOPS ۳۸۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS ۴۴۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR3L -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 0.1 وات * حالت فعال ** 0.04 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر M.۲
وزن محصول 10 گرم ۹ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
رنگ‌بندی - Black, Green

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPNبا اینتل SSD 665p Series NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN

اینتل SSD 665p Series NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱.۶ ترابایت 1 ترابایت
اندازه و ابعاد ۲.۵" 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes AES 256-bit
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Intel 96L QLC
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2263EN
نرخ خواندن ترتیبی - 2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 1925 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 160,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 250,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR3L
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 0.1 وات * حالت فعال ** 0.04 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
وزن محصول - 10 گرم
نشانگر وضعیت LED - false