صفحه 14 از مقایسه اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایت

در این صفحه 3 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایتبا سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی	اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایت	سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	1.92 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	-
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	1000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	134,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	34,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
میزان توان مصرفی	5.46 وات * حالت خواندن ** 5.87 وات * حالت نوشتن ** 2.26 وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
نشانگر وضعیت LED	false	false
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت‌های جانبی	-	نرم‌افزار Samsumg Portable SSD Software ** دارای استاندارد IP65 مقاومت * برابر نفوذ آب
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, BSMI, KC, VCCI, C-tick, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS
رنگ‌بندی	-	مشکی، آبی، طوسی
اندازه و ابعاد	-	13 * 59 * 88 میلی‌متر
وزن محصول	-	98 گرم
محتویات جعبه	-	کابل USB Type-C به USB Type-C کابل USB Type-C به USB Type-A دفترچه راهنما

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایتبا سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS خودروسازی دی اس

ویژگی	اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایت	سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	1.92 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	-
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	1000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	134,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	34,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
میزان توان مصرفی	5.46 وات * حالت خواندن ** 5.87 وات * حالت نوشتن ** 2.26 وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
نشانگر وضعیت LED	false	true
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 45 درجه سانتی‌گراد
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 8 و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش ** دارای گواهینامه IP65
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE,FCC,RCM, BSMI, EAC, UKCA, ICES, BIS
مواد بدنه	-	پلاستیک
رنگ‌بندی	-	مشکی، آبی، سبز
اندازه و ابعاد	-	9.6 * 52.5 * 100.8 میلی‌متر
وزن محصول	-	52 گرم
محتویات جعبه	-	کابل USB نوع C به USB نوع C تبدیل USB نوع C به USB نوع A دفترچه راهنما

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

اچ پی VS Samsung

ویژگی	اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایت	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1.92 ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	134,000IOPS	370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	34,000IOPS	450,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
میزان توان مصرفی	5.46 وات * حالت خواندن ** 5.87 وات * حالت نوشتن ** 2.26 وات * حالت آماده باش	5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
اندازه و ابعاد	-	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه