صفحه 12 از مقایسه اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایتبا تیم گروپ T-Force CARDEA Zero Z340 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی	اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایت	تیم گروپ T-Force CARDEA Zero Z340 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1.92 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	Micron 96L TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	134,000IOPS	350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	34,000IOPS	300,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
میزان توان مصرفی	5.46 وات * حالت خواندن ** 5.87 وات * حالت نوشتن ** 2.26 وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Phison E12S
نوع حافظه DRAM	-	DDR3L
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
اندازه و ابعاد	-	3.7 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	9 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایتبا ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS msi

ویژگی	اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایت	ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe Gen4x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1.92 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	5500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	134,000IOPS	350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	34,000IOPS	700,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
میزان توان مصرفی	5.46 وات * حالت خواندن ** 5.87 وات * حالت نوشتن ** 2.26 وات * حالت آماده باش	حداکثر 6.6 وات هنگام استفاده ** 14 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	PHISON E18
نوع حافظه DRAM	-	DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	-	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)
فناوری رمزنگاری	-	AES 256bit
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد	-	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایتبا وسترن دیجیتال Blue SN570 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

اچ پی VS بلو

ویژگی	اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایت	وسترن دیجیتال Blue SN570 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1.92 ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	134,000IOPS	360,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	34,000IOPS	390,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
میزان توان مصرفی	5.46 وات * حالت خواندن ** 5.87 وات * حالت نوشتن ** 2.26 وات * حالت آماده باش	حداکثر 90 میلی‌وات * حالت فعال ** 5 میلی‌وات * حالت استندبای
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
نشانگر وضعیت LED	false	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانیتگراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTTF) ** 300 ترابایت (TBW)
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	BSMI, CAN ICES-3(B)/NMB-3(B), CE, FCC, KCC, Morocco, ** RCM, TUV, UL, VCCI
اندازه و ابعاد	-	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	6.5 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایتبا تیم گروپ T-Force CARDEA Liquid NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اچ پی VS ام جی

ویژگی	اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایت	تیم گروپ T-Force CARDEA Liquid NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1.92 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	134,000IOPS	350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	34,000IOPS	300,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
میزان توان مصرفی	5.46 وات * حالت خواندن ** 5.87 وات * حالت نوشتن ** 2.26 وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Phison PS5012-E12
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
اندازه و ابعاد	-	14.1 * 24.3 * 83.9 میلی‌متر
وزن محصول	-	42 گرم
محتویات جعبه	-	مایع خنک‌کننده

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر MP700 PRO Heatsink NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایت

اچ پی VS Corsair

ویژگی	کورسیر MP700 PRO Heatsink NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 5.0 x4
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1.92 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	3D TLC
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	12400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	11800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	134,000IOPS	1,500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	34,000IOPS	1,600,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
میزان توان مصرفی	5.46 وات * حالت خواندن ** 5.87 وات * حالت نوشتن ** 2.26 وات * حالت آماده باش	11.5 W
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
نشانگر وضعیت LED	false	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit Encryption
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 10، 11 ** مک OS X
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم در برابر ضربه تا 1500G
وزن محصول	-	11 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایتبا سامسونگ PM9B1 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت

اچ پی VS Samsung

ویژگی	اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایت	سامسونگ PM9B1 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe Gen4 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	M.2 2242
میزان ظرفیت حافظه	1.92 ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	-
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	940 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	134,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	34,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
میزان توان مصرفی	5.46 وات * حالت خواندن ** 5.87 وات * حالت نوشتن ** 2.26 وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتیگراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,750,000 (MTTF) ساعت
اندازه و ابعاد	-	2.3 * 22 * 42 میلی‌متر
وزن محصول	-	3.9 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایتبا کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS کلو

ویژگی	اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایت	کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1.92 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	2100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	1650 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	134,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	34,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
میزان توان مصرفی	5.46 وات * حالت خواندن ** 5.87 وات * حالت نوشتن ** 2.26 وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	SMI SM2263XT
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache قابلیت پایش دمای حافظه الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, KCC, BSMI
اندازه و ابعاد	-	2.2 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	7 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایت

اچ پی VS Crucial

ویژگی	کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1.92 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	Micron 96L TLC
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	134,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	34,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
میزان توان مصرفی	5.46 وات * حالت خواندن ** 5.87 وات * حالت نوشتن ** 2.26 وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
نشانگر وضعیت LED	false	-
کنترلر (Controller)	-	Phison E13T
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE
اندازه و ابعاد	-	2.4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	20 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایتبا لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS لکسار

ویژگی	اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایت	لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1.92 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	134,000IOPS	300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	34,000IOPS	256,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
میزان توان مصرفی	5.46 وات * حالت خواندن ** 5.87 وات * حالت نوشتن ** 2.26 وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	DM620
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 500 ترابایت (TBW)
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
اندازه و ابعاد	-	2.25 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	9 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

اچ پی VS Samsung

ویژگی	اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایت	سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1.92 ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	134,000IOPS	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	34,000IOPS	88,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
میزان توان مصرفی	5.46 وات * حالت خواندن ** 5.87 وات * حالت نوشتن ** 2.26 وات * حالت آماده باش	2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle ** 2.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung MKX
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
اندازه و ابعاد	-	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	-	45 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS Samsung

ویژگی	اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1.92 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	134,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	34,000IOPS	480,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
میزان توان مصرفی	5.46 وات * حالت خواندن ** 5.87 وات * حالت نوشتن ** 2.26 وات * حالت آماده باش	4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
نشانگر وضعیت LED	false	-
کنترلر (Controller)	-	Samsung In-House Controller
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
اندازه و ابعاد	-	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS Samsung

ویژگی	اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1.92 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	134,000IOPS	600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	34,000IOPS	550,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
میزان توان مصرفی	5.46 وات * حالت خواندن ** 5.87 وات * حالت نوشتن ** 2.26 وات * حالت آماده باش	5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix
نوع حافظه DRAM	-	1 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
اندازه و ابعاد	-	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه