صفحه 3 از مقایسه اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe

ویژگی

اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۵.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۷.۶۸ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 96L 3D TLC NAND ۳D eTLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 2080 مگابایت بر ثانیه ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه ۱۰۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 193,000IOPS ۲۸۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 282,000IOPS ۵۰۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 4.29 وات * حالت فعال ** 0.67 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM -
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر U.2 (۶۹.۸ * ۱۰۰.۵ * ۱۴.۸ میلی‌متر)
وزن محصول 5.4 گرم ۱۵۱.۳ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661

ویژگی

اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۵۱۲ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 96L 3D TLC NAND -
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 2080 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 193,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 282,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 4.29 وات * حالت فعال ** 0.67 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM -
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 5.4 گرم ۶.۵ گرم
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-Vبا اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V

اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۹۶۰ گیگابایت 512 MB
اندازه و ابعاد ۲.۵" 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Intel 96L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2263EN
نرخ خواندن ترتیبی - 2080 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 193,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 282,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 4.29 وات * حالت فعال ** 0.67 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM
وزن محصول - 5.4 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

ویژگی

اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۱۵ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 96L 3D TLC NAND ۳D eTLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 2080 مگابایت بر ثانیه ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه ۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 193,000IOPS ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 282,000IOPS ۱۹۵۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW) ۲۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 4.29 وات * حالت فعال ** 0.67 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM -
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
وزن محصول 5.4 گرم ۲۰۵ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۱۲ V

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818با اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

برند نامشخص VS اچ پی
ویژگی

اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818

اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND Intel 96L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 2080 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۲۰۰ 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر) 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۷.۵ گرم 5.4 گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2263EN
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 193,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 282,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600
میزان توان مصرفی - 4.29 وات * حالت فعال ** 0.67 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049

ویژگی

اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۲.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۲۴۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 96L 3D TLC NAND -
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 2080 مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه ۲۵۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 193,000IOPS ۷۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 282,000IOPS ۲۶۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 4.29 وات * حالت فعال ** 0.67 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM -
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر M.۲
وزن محصول 5.4 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ویژگی

اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 96L 3D TLC NAND V-NAND MLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 2080 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 193,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 282,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 4.29 وات * حالت فعال ** 0.67 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM -
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 5.4 گرم ۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایت

ویژگی

اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۵.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 96L 3D TLC NAND ۳D TLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 2080 مگابایت بر ثانیه ۱۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه ۱۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 193,000IOPS ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 282,000IOPS ۲۱۵۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 4.29 وات * حالت فعال ** 0.67 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM -
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)
وزن محصول 5.4 گرم ۷.۳ گرم
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2230 کینگستون NV3 500 گیگابایت

ویژگی

اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2230 کینگستون NV3 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۵۰۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 96L 3D TLC NAND ۳D NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 2080 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه ۳۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 193,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 282,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW) ۱۶۰
میزان توان مصرفی 4.29 وات * حالت فعال ** 0.67 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM -
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر 2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)
وزن محصول 5.4 گرم ۲.۶ گرم
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCSبا اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCS

اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND Intel 96L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 2080 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۳۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۰۰۰۰۰۰ IOPS 193,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۱۶۵۰۰۰۰ IOPS 282,000IOPS
طول عمر متوسط ۱۴۸۰ 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۴.۵ میلی‌متر) 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۱۲ گرم 5.4 گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, UKCA CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2263EN
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600
میزان توان مصرفی - 4.29 وات * حالت فعال ** 0.67 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60

ویژگی

اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 96L 3D TLC NAND ۳D NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 2080 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 193,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 282,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW) ۲۵۰
میزان توان مصرفی 4.29 وات * حالت فعال ** 0.67 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM -
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۱۳ میلی‌متر)
وزن محصول 5.4 گرم ۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

ویژگی

اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۳.۸۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 96L 3D TLC NAND -
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 2080 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 193,000IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 282,000IOPS ۳۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 4.29 وات * حالت فعال ** 0.67 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM -
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر ۲.۵"
وزن محصول 5.4 گرم ۵۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
رنگ‌بندی - مشکی