صفحه 2 از مقایسه اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit

ویژگی	اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Intel 96L 3D TLC NAND	TLC
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2263EN	-
نرخ خواندن ترتیبی	2080 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	193,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	282,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	4.29 وات * حالت فعال ** 0.67 وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM	-
اندازه و ابعاد	2.4 * 22 * 80 میلی‌متر	PCI Express (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول	5.4 گرم	۹ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
محتویات جعبه	-	HP ZTurbo ۱TB ۲۲۸۰ PCIe-۴x۴ TLC M.۲ SSD; Heatsink; Install guide; Product Notices; Warranty Card

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

اچ پی VS سامسونگ

ویژگی	اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Intel 96L 3D TLC NAND	QLC
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2263EN	-
نرخ خواندن ترتیبی	2080 مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	193,000IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	282,000IOPS	۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	4.29 وات * حالت فعال ** 0.67 وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM	-
اندازه و ابعاد	2.4 * 22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	5.4 گرم	۴۶ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit

اچ پی VS اچ پی

ویژگی	اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Intel 96L 3D TLC NAND	-
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2263EN	-
نرخ خواندن ترتیبی	2080 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	193,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	282,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	4.29 وات * حالت فعال ** 0.67 وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM	-
اندازه و ابعاد	2.4 * 22 * 80 میلی‌متر	۸۲ * ۳۰ * ۱۲ میلی‌متر
وزن محصول	5.4 گرم	۳۴.۴ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
محتویات جعبه	-	HP Z Turbo ۵۱۲GB PCIe-۴x۴ Z۴/Z۶ SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

اچ پی VS Sandisk

ویژگی	اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD
نوع کاربری حافظه	اینترنال	بازی؛ لپ‌تاپ
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe Gen4 x4؛ NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	فرم فاکتور M.2 2280
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Intel 96L 3D TLC NAND	TLC 3D NAND
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2263EN	-
نرخ خواندن ترتیبی	2080 مگابایت بر ثانیه	7,250 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	6,900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	193,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	282,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	4.29 وات * حالت فعال ** 0.67 وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز	Windows (برای عملکرد داشبورد)
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه	نرم‌افزار WD_BLACK Dashboard (فقط ویندوز)؛ تا 100% بهره‌وری انرژی بیشتر نسبت به نسل قبل؛ تا 35% عملکرد سریع‌تر نسبت به نسل قبل
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM	-
اندازه و ابعاد	2.4 * 22 * 80 میلی‌متر	M.2 2280
وزن محصول	5.4 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
شیوه اتصال	-	M.2 NVMe PCIe Gen4

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526

اچ پی VS لنوو

ویژگی	اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Intel 96L 3D TLC NAND	V-NAND TLC
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2263EN	-
نرخ خواندن ترتیبی	2080 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	193,000IOPS	۹۷۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	282,000IOPS	۳۱۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW)	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	4.29 وات * حالت فعال ** 0.67 وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM	-
اندازه و ابعاد	2.4 * 22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)
وزن محصول	5.4 گرم	۷۰ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe

اچ پی VS سامسونگ

ویژگی	اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Intel 96L 3D TLC NAND	TLC
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2263EN	-
نرخ خواندن ترتیبی	2080 مگابایت بر ثانیه	۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	۲۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	193,000IOPS	۳۸۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	282,000IOPS	۴۴۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	4.29 وات * حالت فعال ** 0.67 وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM	-
اندازه و ابعاد	2.4 * 22 * 80 میلی‌متر	M.۲
وزن محصول	5.4 گرم	۹ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
رنگ‌بندی	-	Black, Green

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

اچ پی VS سامسونگ

ویژگی	اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Intel 96L 3D TLC NAND	V-NAND MLC
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2263EN	-
نرخ خواندن ترتیبی	2080 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	193,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	282,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	4.29 وات * حالت فعال ** 0.67 وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM	-
اندازه و ابعاد	2.4 * 22 * 80 میلی‌متر	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول	5.4 گرم	۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit

اچ پی VS اچ پی

ویژگی	اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Intel 96L 3D TLC NAND	-
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2263EN	-
نرخ خواندن ترتیبی	2080 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	193,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	282,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	4.29 وات * حالت فعال ** 0.67 وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM	-
اندازه و ابعاد	2.4 * 22 * 80 میلی‌متر	۸۲ * ۳۰ * ۱۲ میلی‌متر
وزن محصول	5.4 گرم	۱۶۴ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
محتویات جعبه	-	Z Turbo ۴TB ۲۲۸۰ PCIe-۴x۴ SED OPAL۲ TLC M.۲ Z۴/Z۶ Kit SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954

اچ پی VS لنوو

ویژگی	اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۵۱۲ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Intel 96L 3D TLC NAND	-
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2263EN	-
نرخ خواندن ترتیبی	2080 مگابایت بر ثانیه	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	۴۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	193,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	282,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	4.29 وات * حالت فعال ** 0.67 وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM	-
اندازه و ابعاد	2.4 * 22 * 80 میلی‌متر	2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۲۳ میلی‌متر)
وزن محصول	5.4 گرم	۷.۲ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

اچ پی VS سامسونگ

ویژگی	اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Intel 96L 3D TLC NAND	V-NAND MLC
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2263EN	-
نرخ خواندن ترتیبی	2080 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	193,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	282,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	4.29 وات * حالت فعال ** 0.67 وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM	-
اندازه و ابعاد	2.4 * 22 * 80 میلی‌متر	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول	5.4 گرم	۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

برند نامشخص VS اچ پی

ویژگی	SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828	اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	Intel 96L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه	2080 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۵۰۰	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر)	2.4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۷.۵ گرم	5.4 گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Silicon Motion SM2263EN
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	193,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	282,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600
میزان توان مصرفی	-	4.29 وات * حالت فعال ** 0.67 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe

اچ پی VS کینگستون

ویژگی	اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۵.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۳.۸۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Intel 96L 3D TLC NAND	۳D eTLC
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2263EN	-
نرخ خواندن ترتیبی	2080 مگابایت بر ثانیه	۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	۵۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	193,000IOPS	۲۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	282,000IOPS	۳۰۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW)	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	4.29 وات * حالت فعال ** 0.67 وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM	-
اندازه و ابعاد	2.4 * 22 * 80 میلی‌متر	U.2 (۶۹.۸ * ۱۰۰.۵ * ۱۴.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	5.4 گرم	۱۴۶.۲ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه