صفحه 2 از مقایسه اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661

ویژگی

اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۵۱۲ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 96L 3D TLC NAND -
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 2095 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 1965 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 283,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 286,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 4.38 وات * حالت فعال ** 0.68 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM -
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 5.4 گرم ۶.۵ گرم
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818با اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

برند نامشخص VS اچ پی
ویژگی

اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818

اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND Intel 96L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 2095 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 1965 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۲۰۰ 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر) 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۷.۵ گرم 5.4 گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2263EN
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 283,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 286,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600
میزان توان مصرفی - 4.38 وات * حالت فعال ** 0.68 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300با اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300

اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND Intel 96L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه 2095 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 1965 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۷۰۰ 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2263EN
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 283,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 286,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600
میزان توان مصرفی - 4.38 وات * حالت فعال ** 0.68 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM
وزن محصول - 5.4 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPNبا اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN

اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱.۶ ترابایت 1 ترابایت
اندازه و ابعاد ۲.۵" 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Intel 96L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2263EN
نرخ خواندن ترتیبی - 2095 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 1965 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 283,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 286,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 4.38 وات * حالت فعال ** 0.68 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM
وزن محصول - 5.4 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298با اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

برند نامشخص VS اچ پی
ویژگی

اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298

اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۳.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND Intel 96L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 2095 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 1965 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۶۰۰ 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر) 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۶ گرم 5.4 گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, VCCI CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2263EN
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 283,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 286,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600
میزان توان مصرفی - 4.38 وات * حالت فعال ** 0.68 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ویژگی

اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 96L 3D TLC NAND V-NAND MLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 2095 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1965 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 283,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 286,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 4.38 وات * حالت فعال ** 0.68 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM -
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 5.4 گرم ۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit

ویژگی

اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت -
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 96L 3D TLC NAND -
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 2095 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 1965 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 283,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 286,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 4.38 وات * حالت فعال ** 0.68 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM -
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر ۸۲ * ۳۰ * ۱۲ میلی‌متر
وزن محصول 5.4 گرم ۱۶۴ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
محتویات جعبه - Z Turbo ۴TB ۲۲۸۰ PCIe-۴x۴ SED OPAL۲ TLC M.۲ Z۴/Z۶ Kit SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices

مقایسه اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G

ویژگی

اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 96L 3D TLC NAND ۳D TLC NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 2095 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1965 مگابایت بر ثانیه ۴۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 283,000IOPS ۵۶۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 286,000IOPS ۶۱۵۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320ترابایت (TBW) ۱۴۰۰
میزان توان مصرفی 4.38 وات * حالت فعال ** 0.68 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۸ میلی‌متر)
وزن محصول 5.4 گرم ۱۰ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1

ویژگی

اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 96L 3D TLC NAND QLC ۳D NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 2095 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1965 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 283,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 286,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320ترابایت (TBW) ۱۸۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 4.38 وات * حالت فعال ** 0.68 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM RoHS
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۷.۱ میلی‌متر)
وزن محصول 5.4 گرم ۴۰ گرم
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 96L 3D TLC NAND ۳D NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 2095 مگابایت بر ثانیه ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1965 مگابایت بر ثانیه ۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 283,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 286,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320ترابایت (TBW) ۳۲۰
میزان توان مصرفی 4.38 وات * حالت فعال ** 0.68 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM -
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر 2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)
وزن محصول 5.4 گرم ۲.۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

ویژگی

اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱۵ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 96L 3D TLC NAND ۳D eTLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 2095 مگابایت بر ثانیه ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1965 مگابایت بر ثانیه ۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 283,000IOPS ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 286,000IOPS ۱۹۵۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320ترابایت (TBW) ۲۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 4.38 وات * حالت فعال ** 0.68 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM -
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
وزن محصول 5.4 گرم ۲۰۵ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۱۲ V

مقایسه اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

ویژگی

اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 96L 3D TLC NAND ۳D TLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 2095 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1965 مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 283,000IOPS ۱۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 286,000IOPS ۹۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320ترابایت (TBW) ۱۴۰۰
میزان توان مصرفی 4.38 وات * حالت فعال ** 0.68 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM RoHS
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷.۱ میلی‌متر)
وزن محصول 5.4 گرم ۵۰ گرم
نشانگر وضعیت LED false -