صفحه 18 از مقایسه گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen3x4 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاومت * برابر شوک ** میزان مقاومت شوک 1500G -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, BSMI, KC, EAC, RCM, morocco, UKCA, RoHS CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung MKX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
میزان توان مصرفی - 2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle ** 2.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
اندازه و ابعاد - 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول - 45 گرم

مقایسه گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen3x4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاومت * برابر شوک ** میزان مقاومت شوک 1500G -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, BSMI, KC, EAC, RCM, morocco, UKCA, RoHS -
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 450,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
میزان توان مصرفی - 5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
اندازه و ابعاد - 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول - 8 گرم

مقایسه گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen3x4 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه 1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت‌های جانبی مقاومت * برابر شوک ** میزان مقاومت شوک 1500G مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش ** دارای گواهینامه IP65
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, BSMI, KC, EAC, RCM, morocco, UKCA, RoHS CE,FCC,RCM, BSMI, EAC, UKCA, ICES, BIS
نشانگر وضعیت LED false true
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 45 درجه سانتی‌گراد
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 8 و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر
مواد بدنه - پلاستیک
رنگ‌بندی - مشکی، آبی، سبز
اندازه و ابعاد - 9.6 * 52.5 * 100.8 میلی‌متر
وزن محصول - 52 گرم
محتویات جعبه - کابل USB نوع C به USB نوع C ** تبدیل USB نوع C به USB نوع A ** دفترچه راهنما

مقایسه گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen3x4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 500 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت‌های جانبی مقاومت * برابر شوک ** میزان مقاومت شوک 1500G مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, BSMI, KC, EAC, RCM, morocco, UKCA, RoHS -
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - DM620
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 256,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد - 2.25 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول - 9 گرم

مقایسه گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen3x4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 2-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاومت * برابر شوک ** میزان مقاومت شوک 1500G مناسب گیمینگ ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, BSMI, KC, EAC, RCM, morocco, UKCA, RoHS -
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix Controller
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 500,000IOPS
نوع حافظه DRAM - LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
میزان توان مصرفی - 5.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 8.5 وات * حالت ماکزیمم ** 0.03 وات * حالت آماده باش
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
اندازه و ابعاد - 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول - 8 گرم

مقایسه گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen3x4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Micron 64-Layer 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت‌های جانبی مقاومت * برابر شوک ** میزان مقاومت شوک 1500G -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, BSMI, KC, EAC, RCM, morocco, UKCA, RoHS RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - SMI SM2262EN
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 290,000IOPS
نوع حافظه DRAM - DDR3L
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی - 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش
اندازه و ابعاد - 6.1 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول - 11 گرم

مقایسه ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایتبا گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت

گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen3x4 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت‌های جانبی مقاومت * برابر شوک ** میزان مقاومت شوک 1500G پشتیبانی از آی‌پد، مک بوک و کنسول‌های بازی
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, BSMI, KC, EAC, RCM, morocco, UKCA, RoHS -
نشانگر وضعیت LED false true
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
محدوده دمای عملیاتی - 5 تا 50 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 8 به بالا ** مک OS X 10.6 به بالا ** لینوکس 2.6 به بالا ** ان*وید 5 به بالا
اندازه و ابعاد - 12.25 * 35 * 64.8 میلی‌متر
وزن محصول - 31 گرم
محتویات جعبه - کابل USB-C به USB-C ** کابل USB-C به USB-A ** دفترچه راهنما

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen3x4 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Micron 96L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه 3800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 2800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 370 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاومت * برابر شوک ** میزان مقاومت شوک 1500G -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, BSMI, KC, EAC, RCM, morocco, UKCA, RoHS CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2267EN
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 191,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 510,000IOPS
نوع حافظه DRAM - DDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی - 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت Slumber
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
اندازه و ابعاد - 4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) ** 3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک)
وزن محصول - 10 گرم (با هیت‌سینک) ** 6 گرم (بدون هیت‌سینک)

مقایسه ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen3x4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت‌های جانبی مقاومت * برابر شوک ** میزان مقاومت شوک 1500G مناسب گیمینگ ** قابلیت شخصی‌سازی نورپردازی ** پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, BSMI, KC, EAC, RCM, morocco, UKCA, RoHS RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KCC, EAC, RCM, Morocco
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 210,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 230,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی - 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
اندازه و ابعاد - 8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول - 13.4 گرم

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen3x4 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه 7400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 6800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1480 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاومت * برابر شوک ** میزان مقاومت شوک 1500G -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, BSMI, KC, EAC, RCM, morocco, UKCA, RoHS CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC
نشانگر وضعیت LED false -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 750,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
اندازه و ابعاد - 3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) ** 4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک)
وزن محصول - 7 گرم (بدون هیت‌سینک) ** 10 گرم (با هیت‌سینک)

مقایسه گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen3x4 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه 1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت‌های جانبی مقاومت * برابر شوک ** میزان مقاومت شوک 1500G نرم‌افزار Samsumg Portable SSD Software ** دارای استاندارد IP65 مقاومت * برابر نفوذ آب
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, BSMI, KC, EAC, RCM, morocco, UKCA, RoHS CE, BSMI, KC, VCCI, C-tick, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS
نشانگر وضعیت LED false false
شیوه اتصال - Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
رنگ‌بندی - مشکی، آبی، طوسی
اندازه و ابعاد - 13 * 59 * 88 میلی‌متر
وزن محصول - 98 گرم
محتویات جعبه - کابل USB Type-C به USB Type-C ** کابل USB Type-C به USB Type-A ** دفترچه راهنما

مقایسه گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen3x4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاومت * برابر شوک ** میزان مقاومت شوک 1500G مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, BSMI, KC, EAC, RCM, morocco, UKCA, RoHS -
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 550,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
میزان توان مصرفی - 5.5 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
اندازه و ابعاد - 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول - 8 گرم