صفحه 14 از مقایسه گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 512 گیگابایتبا کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی	گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 512 گیگابایت	کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	1550 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	850 مگابایت بر ثانیه	3700 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	120,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	160,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW)	350 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی	2.2 وات * حالت خواندن ** 2.1 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	3.40 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت سینک) ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت سینک)
نشانگر وضعیت LED	false	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D TLC NAND
قابلیت‌های جانبی	-	نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 پشتیبانی از SLC Cache پشتیبانی کدینگ LPDC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
وزن محصول	-	10 گرم (با هیت سینک) ** 7 گرم (بدون هیت سینک)

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 512 گیگابایتبا کینگ اسپک NT-XXX SATA M.2 2280 ظرفیت 256 گیگابایت

GIGABYTE VS KingSpec

ویژگی	گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 512 گیگابایت	کینگ اسپک NT-XXX SATA M.2 2280 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	256 MB
نرخ خواندن ترتیبی	1550 مگابایت بر ثانیه	580 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	850 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	120,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	160,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW)	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 174 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.2 وات * حالت خواندن ** 2.1 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D TLC NAND
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

GIGABYTE VS Samsung

ویژگی	گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	4 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1550 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	850 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	120,000IOPS	100.000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	160,000IOPS	90.000IOPS
حافظه DRAM	true	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 4800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.2 وات * حالت خواندن ** 2.1 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle	2.2 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 7 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	6.8 × 69.85 × 100 ميلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 2-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
نوع حافظه DRAM	-	4 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
وزن محصول	-	62 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا Premier Pro SP900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایتبا گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 512 گیگابایت

GIGABYTE VS ای دیتا

ویژگی	ای دیتا Premier Pro SP900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت	گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	128 MB
نرخ خواندن ترتیبی	1550 مگابایت بر ثانیه	545 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	850 مگابایت بر ثانیه	535 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	120,000IOPS	91,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	160,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW)	1,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	2.2 وات * حالت خواندن ** 2.1 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle	0.9 وات * حالت فعال ** 0.5 وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	7 * 69.85 * 100.45 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	MLC NAND
کنترلر (Controller)	-	SandForce 2200
وزن محصول	-	68 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

GIGABYTE VS Samsung

ویژگی	گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1550 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	850 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	120,000IOPS	97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	160,000IOPS	89,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.2 وات * حالت خواندن ** 2.1 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle	2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
نوع حافظه DRAM	-	2GB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
وزن محصول	-	62 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 512 گیگابایتبا سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 2 ترابایت

GIGABYTE VS سیگیت

ویژگی	گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 512 گیگابایت	سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.3	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1550 مگابایت بر ثانیه	7250 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	850 مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	120,000IOPS	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	160,000IOPS	1,000,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW)	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 5100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.2 وات * حالت خواندن ** 2.1 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle	8.6 میلی‌وات * حالت فعال ** 30 میلی‌وات * حالت PS3 Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	11.04 * 24.2 * 80.16 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D TLC
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS
وزن محصول	-	47 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 512 گیگابایتبا گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

GIGABYTE VS GIGABYTE

ویژگی	گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 512 گیگابایت	گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	256 MB
نرخ خواندن ترتیبی	1550 مگابایت بر ثانیه	1700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	850 مگابایت بر ثانیه	1100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	120,000IOPS	180,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	160,000IOPS	250,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW)	1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	2.2 وات * حالت خواندن ** 2.1 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle	2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	NAND Flash
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

GIGABYTE VS Samsung

ویژگی	گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	4 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1550 مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	850 مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	120,000IOPS	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	160,000IOPS	1,550,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW)	1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	2.2 وات * حالت خواندن ** 2.1 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung in-house Controller
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
وزن محصول	-	9 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 512 گیگابایتبا گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

GIGABYTE VS GIGABYTE

ویژگی	گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 512 گیگابایت	گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	128 MB
نرخ خواندن ترتیبی	1550 مگابایت بر ثانیه	1100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	850 مگابایت بر ثانیه	1700 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	120,000IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	160,000IOPS	180,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	2.2 وات * حالت خواندن ** 2.1 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle	2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	NAND Flash
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا LEGEND 750 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 512 گیگابایت

GIGABYTE VS ای دیتا

ویژگی	ای دیتا LEGEND 750 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.3	PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	1550 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	850 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	120,000IOPS	480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	160,000IOPS	260,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.2 وات * حالت خواندن ** 2.1 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	3.1 * 22 * 80 میلی‌متر با هیت سینک ** 2.1 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سینک
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D NAND
کنترلر (Controller)	-	MAP1202
فناوری رمزنگاری	-	AES 256bit
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش پشتیبانی از نرم‌افزار SSD Toolbox ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
رنگ‌بندی	-	آبی
وزن محصول	-	9 گرم با هیت سینک ** 6.2 گرم بدون هیت سینک

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

GIGABYTE VS Samsung

ویژگی	گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	512 MB
نرخ خواندن ترتیبی	1550 مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	850 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	120,000IOPS	800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	160,000IOPS	800,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	2.2 وات * حالت خواندن ** 2.1 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung TLC V-NAND
کنترلر (Controller)	-	S4LV003
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 512 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

GIGABYTE VS msi

ویژگی	گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 512 گیگابایت	ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1550 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	850 مگابایت بر ثانیه	4500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	120,000IOPS	550,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	160,000IOPS	950,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.2 وات * حالت خواندن ** 2.1 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle	4.3 وات * حالت استفاده ** 50 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	2.15 × 22 × 80 ميلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D NAND
کنترلر (Controller)	-	PHISON E21T
قابلیت‌های جانبی	-	کدینگ LPDC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها

مشاهده جزئیات مقایسه