صفحه 13 از مقایسه گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 512 گیگابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 512 گیگابایت

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1550 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 850 مگابایت بر ثانیه 3080 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 120,000IOPS 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 160,000IOPS 270,000IOPS
حافظه DRAM true false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW) 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.1 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر -
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Micron 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - SMI
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز XP و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, cTUVus, RoHS

مقایسه گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 512 گیگابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 512 گیگابایت

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1550 مگابایت بر ثانیه 2455 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 850 مگابایت بر ثانیه 1832 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 120,000IOPS 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 160,000IOPS 270,000IOPS
حافظه DRAM true false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.1 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر -
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Micron 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - SMI
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, cTUVus, RoHS

مقایسه گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1550 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 850 مگابایت بر ثانیه 4400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 120,000IOPS 750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 160,000IOPS 700,000IOPS
حافظه DRAM true true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW) 1,770,000 ساعت (MTBF) ** 1800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.1 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle 6.6 وات * حالت خواندن ** 6.4 وات * حالت نوشتن ** 18.8 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 11.25 * 23.5 * 80.5 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND
کنترلر (Controller) - Phison PS5016-E16
نوع حافظه DRAM - 1 MB DDR4
قابلیت‌های جانبی - دارای هیت‌سینک از جنس مس ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان ** نرم‌افزار SSD Tool Box

مقایسه گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 512 گیگابایتبا تیم گروپ T-Force CARDEA Zero Z340 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 512 گیگابایت

تیم گروپ T-Force CARDEA Zero Z340 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1550 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 850 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 120,000IOPS 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 160,000IOPS 300,000IOPS
حافظه DRAM true true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.1 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 3.7 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Micron 96L TLC NAND
کنترلر (Controller) - Phison E12S
نوع حافظه DRAM - DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
وزن محصول - 9 گرم

مقایسه گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 512 گیگابایتبا پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 512 گیگابایت

پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1550 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 850 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 120,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 160,000IOPS -
حافظه DRAM true false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 3115 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.1 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 2 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false -
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Toshiba 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - Phison PS5012-E12
فناوری رمزنگاری - AES 128-bit
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 ** قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
مجوزها و تاییدیه‌ها - BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI
وزن محصول - 6.6 گرم

مقایسه گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ PM9B1 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ PM9B1 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.3 PCIe Gen4 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 M.2 2242
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1550 مگابایت بر ثانیه 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 850 مگابایت بر ثانیه 940 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 120,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 160,000IOPS -
حافظه DRAM true false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW) 1,750,000 (MTTF) ساعت
میزان توان مصرفی 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.1 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 2.3 * 22 * 42 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
وزن محصول - 3.9 گرم

مقایسه گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 512 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Blue SN570 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 512 گیگابایت

وسترن دیجیتال Blue SN570 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.3 PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 500 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1550 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 850 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 120,000IOPS 360,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 160,000IOPS 390,000IOPS
حافظه DRAM true false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانیتگراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTTF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.1 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle حداکثر 90 میلی‌وات * حالت فعال ** 5 میلی‌وات * حالت استندبای
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D TLC NAND
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال
مجوزها و تاییدیه‌ها - BSMI, CAN ICES-3(B)/NMB-3(B), CE, FCC, KCC, Morocco, ** RCM, TUV, UL, VCCI
وزن محصول - 6.5 گرم

مقایسه کورسیر MP700 PRO Heatsink NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

کورسیر MP700 PRO Heatsink NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.3 PCIe 5.0 x4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1550 مگابایت بر ثانیه 12400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 850 مگابایت بر ثانیه 11800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 120,000IOPS 1,500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 160,000IOPS 1,600,000IOPS
حافظه DRAM true false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW) 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.1 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle 11.5 W
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر -
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D TLC
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit Encryption
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 10، 11 ** مک OS X
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G
وزن محصول - 11 گرم

مقایسه گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 512 گیگابایتبا کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 512 گیگابایت

کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1550 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 850 مگابایت بر ثانیه 1650 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 120,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 160,000IOPS -
حافظه DRAM true false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.1 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - SMI SM2263XT
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache ** قابلیت پایش دمای حافظه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, KCC, BSMI
وزن محصول - 7 گرم

مقایسه گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 512 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 512 گیگابایت

ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.3 PCIe Gen4x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1550 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 850 مگابایت بر ثانیه 5500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 120,000IOPS 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 160,000IOPS 700,000IOPS
حافظه DRAM true true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW) 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.1 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle حداکثر 6.6 وات هنگام استفاده ** 14 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D NAND
کنترلر (Controller) - PHISON E18
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش
فناوری رمزنگاری - AES 256bit
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)

مقایسه گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 512 گیگابایتبا تیم گروپ T-Force CARDEA Liquid NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 512 گیگابایت

تیم گروپ T-Force CARDEA Liquid NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1550 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 850 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 120,000IOPS 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 160,000IOPS 300,000IOPS
حافظه DRAM true false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.1 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 14.1 * 24.3 * 83.9 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - Phison PS5012-E12
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
وزن محصول - 42 گرم
محتویات جعبه - مایع خنک‌کننده

مقایسه کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1550 مگابایت بر ثانیه 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 850 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 120,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 160,000IOPS -
حافظه DRAM true false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.1 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false -
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Micron 96L TLC
کنترلر (Controller) - Phison E13T
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE
وزن محصول - 20 گرم