صفحه 14 از مقایسه گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 256 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 256 گیگابایتبا سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 256 گیگابایت

سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.3 PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 7250 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 800 مگابایت بر ثانیه 6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 80,000IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 1,000,000IOPS
حافظه DRAM true false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW) 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 5100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.1 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle 8.6 میلی‌وات * حالت فعال ** 30 میلی‌وات * حالت PS3 Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 11.04 * 24.2 * 80.16 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D TLC
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS
وزن محصول - 47 گرم

مقایسه گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 256 گیگابایتبا پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 256 گیگابایت

پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 800 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 80,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS -
حافظه DRAM true false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 3115 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.1 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 2 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false -
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Toshiba 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - Phison PS5012-E12
فناوری رمزنگاری - AES 128-bit
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 ** قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
مجوزها و تاییدیه‌ها - BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI
وزن محصول - 6.6 گرم

مقایسه گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 256 گیگابایتبا کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 256 گیگابایت

کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 500 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 800 مگابایت بر ثانیه 3700 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 80,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS -
حافظه DRAM true false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW) 350 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.1 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 3.40 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت سینک) ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت سینک)
نشانگر وضعیت LED false -
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D TLC NAND
قابلیت‌های جانبی - نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 ** پشتیبانی از SLC Cache ** پشتیبانی کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
وزن محصول - 10 گرم (با هیت سینک) ** 7 گرم (بدون هیت سینک)

مقایسه گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 800 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 80,000IOPS 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 89,000IOPS
حافظه DRAM true true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.1 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle 2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
نوع حافظه DRAM - 2GB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
وزن محصول - 62 گرم

مقایسه گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 4 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 800 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 80,000IOPS 100.000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 90.000IOPS
حافظه DRAM true true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 4800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.1 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle 2.2 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 7 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 × 69.85 × 100 ميلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false -
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 2-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
نوع حافظه DRAM - 4 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
وزن محصول - 62 گرم

مقایسه گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 800 مگابایت بر ثانیه 4400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 80,000IOPS 750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 700,000IOPS
حافظه DRAM true true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW) 1,770,000 ساعت (MTBF) ** 1800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.1 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle 6.6 وات * حالت خواندن ** 6.4 وات * حالت نوشتن ** 18.8 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 11.25 * 23.5 * 80.5 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND
کنترلر (Controller) - Phison PS5016-E16
نوع حافظه DRAM - 1 MB DDR4
قابلیت‌های جانبی - دارای هیت‌سینک از جنس مس ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان ** نرم‌افزار SSD Tool Box

مقایسه کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 800 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 80,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS -
حافظه DRAM true false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.1 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false -
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Micron 96L TLC
کنترلر (Controller) - Phison E13T
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE
وزن محصول - 20 گرم

مقایسه گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 256 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Blue SN570 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 256 گیگابایت

وسترن دیجیتال Blue SN570 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.3 PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 500 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 800 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 80,000IOPS 360,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 390,000IOPS
حافظه DRAM true false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانیتگراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTTF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.1 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle حداکثر 90 میلی‌وات * حالت فعال ** 5 میلی‌وات * حالت استندبای
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D TLC NAND
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال
مجوزها و تاییدیه‌ها - BSMI, CAN ICES-3(B)/NMB-3(B), CE, FCC, KCC, Morocco, ** RCM, TUV, UL, VCCI
وزن محصول - 6.5 گرم

مقایسه گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 256 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 256 گیگابایت

ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 800 مگابایت بر ثانیه 4500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 80,000IOPS 550,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 950,000IOPS
حافظه DRAM true false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.1 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle 4.3 وات * حالت استفاده ** 50 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 2.15 × 22 × 80 ميلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D NAND
کنترلر (Controller) - PHISON E21T
قابلیت‌های جانبی - کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها

مقایسه گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 256 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 256 گیگابایت

ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.3 PCIe Gen4x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 800 مگابایت بر ثانیه 5500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 80,000IOPS 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 700,000IOPS
حافظه DRAM true true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW) 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.1 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle حداکثر 6.6 وات هنگام استفاده ** 14 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D NAND
کنترلر (Controller) - PHISON E18
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش
فناوری رمزنگاری - AES 256bit
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)

مقایسه گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 256 گیگابایتبا کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 256 گیگابایت

کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 1950 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 800 مگابایت بر ثانیه 1550 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 80,000IOPS 130,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 230,000IOPS
حافظه DRAM true false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.1 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle 3.5 وات در حالت فعال
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D NAND
کنترلر (Controller) - Phison PS5012-E12
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه
وزن محصول - 10 گرم

مقایسه گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 256 گیگابایتبا لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 256 گیگابایت

لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 800 مگابایت بر ثانیه 2400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 80,000IOPS 200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 256,000IOPS
حافظه DRAM true false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 250 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.1 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 2.25 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - DM620
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
وزن محصول - 9 گرم