صفحه 4 از مقایسه گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

ویژگی	گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	۱۵ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND	۳D eTLC
کنترلر (Controller)	Phison PS5016-E16	-
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	550,000IOPS	۱۹۵۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	5‎12 مگابایت DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,770,000 ساعت (MTBF) ** 850 ترابایت (TBW)	۲۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	5.9 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 1‎3.21 میلی‌وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت‌های جانبی	دارای هیت‌سینک از جنس مس الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان نرم‌افزار SSD Tool Box	-
اندازه و ابعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 میلی‌متر	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۱۲ V
وزن محصول	-	۲۰۵ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

GIGABYTE VS سی‌گیت

ویژگی	گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	No
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND	۳D TLC
کنترلر (Controller)	Phison PS5016-E16	-
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	۱۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	550,000IOPS	۹۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	5‎12 مگابایت DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,770,000 ساعت (MTBF) ** 850 ترابایت (TBW)	۱۴۰۰
میزان توان مصرفی	5.9 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 1‎3.21 میلی‌وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	دارای هیت‌سینک از جنس مس الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان نرم‌افزار SSD Tool Box	-
اندازه و ابعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 میلی‌متر	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷.۱ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
وزن محصول	-	۵۰ گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1

GIGABYTE VS سی‌گیت

ویژگی	گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND	QLC ۳D NAND
کنترلر (Controller)	Phison PS5016-E16	-
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	550,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	5‎12 مگابایت DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,770,000 ساعت (MTBF) ** 850 ترابایت (TBW)	۱۸۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	5.9 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 1‎3.21 میلی‌وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	دارای هیت‌سینک از جنس مس الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان نرم‌افزار SSD Tool Box	-
اندازه و ابعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 میلی‌متر	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۷.۱ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
وزن محصول	-	۴۰ گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCSبا گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ای‌دیتا VS GIGABYTE

ویژگی	SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCS	گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۵.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	-
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۳۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	2500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۲۰۰۰۰۰۰ IOPS	400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۱۶۵۰۰۰۰ IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	۱۴۸۰	1,770,000 ساعت (MTBF) ** 850 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۴.۵ میلی‌متر)	11.25 * 23.5 * 80.5 میلی‌متر
وزن محصول	۱۲ گرم	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, UKCA	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Phison PS5016-E16
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	5‎12 مگابایت DDR4
میزان توان مصرفی	-	5.9 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 1‎3.21 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت‌های جانبی	-	دارای هیت‌سینک از جنس مس الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان نرم‌افزار SSD Tool Box
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZبا گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

دِل VS GIGABYTE

ویژگی	اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZ	گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۳.۸۴ ترابایت	500 MB
اندازه و ابعاد	۲.۵"	11.25 * 23.5 * 80.5 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	No	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND
کنترلر (Controller)	-	Phison PS5016-E16
نرخ خواندن ترتیبی	-	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	2500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	550,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	5‎12 مگابایت DDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,770,000 ساعت (MTBF) ** 850 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	5.9 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 1‎3.21 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت‌های جانبی	-	دارای هیت‌سینک از جنس مس الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان نرم‌افزار SSD Tool Box
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPNبا گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

دِل VS GIGABYTE

ویژگی	اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN	گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱.۶ ترابایت	500 MB
اندازه و ابعاد	۲.۵"	11.25 * 23.5 * 80.5 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND
کنترلر (Controller)	-	Phison PS5016-E16
نرخ خواندن ترتیبی	-	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	2500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	550,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	5‎12 مگابایت DDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,770,000 ساعت (MTBF) ** 850 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	5.9 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 1‎3.21 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت‌های جانبی	-	دارای هیت‌سینک از جنس مس الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان نرم‌افزار SSD Tool Box
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60

GIGABYTE VS ایکس‌پی‌جی

ویژگی	گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND	۳D NAND
کنترلر (Controller)	Phison PS5016-E16	-
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	550,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	5‎12 مگابایت DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,770,000 ساعت (MTBF) ** 850 ترابایت (TBW)	۲۵۰
میزان توان مصرفی	5.9 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 1‎3.21 میلی‌وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	دارای هیت‌سینک از جنس مس الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان نرم‌افزار SSD Tool Box	-
اندازه و ابعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 میلی‌متر	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۱۳ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
وزن محصول	-	۸ گرم
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

GIGABYTE VS سامسونگ

ویژگی	گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND	V-NAND TLC
کنترلر (Controller)	Phison PS5016-E16	-
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	550,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	5‎12 مگابایت DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,770,000 ساعت (MTBF) ** 850 ترابایت (TBW)	۶۰۰
میزان توان مصرفی	5.9 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 1‎3.21 میلی‌وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	دارای هیت‌سینک از جنس مس الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان نرم‌افزار SSD Tool Box	-
اندازه و ابعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 میلی‌متر	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

GIGABYTE VS سی‌گیت

ویژگی	گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND	۳D cMLC
کنترلر (Controller)	Phison PS5016-E16	-
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	۲۴۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	550,000IOPS	۲۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	5‎12 مگابایت DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,770,000 ساعت (MTBF) ** 850 ترابایت (TBW)	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	5.9 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 1‎3.21 میلی‌وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت‌های جانبی	دارای هیت‌سینک از جنس مس الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان نرم‌افزار SSD Tool Box	-
اندازه و ابعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 میلی‌متر	M.2 (۲۲ * ۱۱۰ * ۲ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
وزن محصول	-	۱۴ گرم
رنگ‌بندی	-	Black, Green

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMe

GIGABYTE VS کینگستون

ویژگی	گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND	-
کنترلر (Controller)	Phison PS5016-E16	-
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	۲۱۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	۱۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	550,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	5‎12 مگابایت DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,770,000 ساعت (MTBF) ** 850 ترابایت (TBW)	۴۸۰
میزان توان مصرفی	5.9 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 1‎3.21 میلی‌وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت‌های جانبی	دارای هیت‌سینک از جنس مس الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان نرم‌افزار SSD Tool Box	-
اندازه و ابعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 میلی‌متر	M.2 (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
وزن محصول	-	۷ گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

GIGABYTE VS سامسونگ

ویژگی	گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND	V-NAND MLC
کنترلر (Controller)	Phison PS5016-E16	-
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	550,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	5‎12 مگابایت DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,770,000 ساعت (MTBF) ** 850 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	5.9 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 1‎3.21 میلی‌وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	دارای هیت‌سینک از جنس مس الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان نرم‌افزار SSD Tool Box	-
اندازه و ابعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 میلی‌متر	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
وزن محصول	-	۸ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298با گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

برند نامشخص VS GIGABYTE

ویژگی	اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298	گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۳.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	2500 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۶۰۰	1,770,000 ساعت (MTBF) ** 850 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر)	11.25 * 23.5 * 80.5 میلی‌متر
وزن محصول	۶ گرم	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, VCCI	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Phison PS5016-E16
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	550,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	5‎12 مگابایت DDR4
میزان توان مصرفی	-	5.9 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 1‎3.21 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت‌های جانبی	-	دارای هیت‌سینک از جنس مس الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان نرم‌افزار SSD Tool Box
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه