صفحه 6 از مقایسه اس اس دی اینترنال Fujitsu S26361-F5320-L160

در این صفحه 6 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس اس دی اینترنال Fujitsu S26361-F5320-L160با اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

ویژگی

اس اس دی اینترنال Fujitsu S26361-F5320-L160

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

میزان ظرفیت حافظه ۱.۶ ترابایت ۴ ترابایت
اندازه و ابعاد ۲.۵" 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه SAS Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری - Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
مشخصات حافظه فلش (Flash) - V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی - ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۸۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول - ۴۶ گرم

مقایسه اس اس دی اینترنال Fujitsu S26361-F5320-L160با اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

ویژگی

اس اس دی اینترنال Fujitsu S26361-F5320-L160

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

میزان ظرفیت حافظه ۱.۶ ترابایت ۱ ترابایت
اندازه و ابعاد ۲.۵" ۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
پورت اتصال حافظه SAS PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - Yes
فناوری رمزنگاری - Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
مشخصات حافظه فلش (Flash) - V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی - ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط - ۶۰۰
مجوزها و تاییدیه‌ها - Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA

مقایسه اس اس دی اینترنال Fujitsu S26361-F5320-L160با SSD اینترنال پری دیتور مدل GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال Fujitsu S26361-F5320-L160

SSD اینترنال پری دیتور مدل GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 ظرفیت 2 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱.۶ ترابایت ۲ ترابایت
اندازه و ابعاد ۲.۵" 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۲ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه SAS PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - Yes
نرخ خواندن ترتیبی - ۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۶۳۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۹۲۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۹۷۴۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول - ۷ گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها - BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), KCC, RCM, RoHS, VCCI

مقایسه اس اس دی اینترنال Fujitsu S26361-F5320-L160با اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO

ویژگی

اس اس دی اینترنال Fujitsu S26361-F5320-L160

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO

میزان ظرفیت حافظه ۱.۶ ترابایت ۱ ترابایت
اندازه و ابعاد ۲.۵" M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه SAS PCI Express ۳.۰
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - Yes
فناوری رمزنگاری - Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
مشخصات حافظه فلش (Flash) - V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی - ۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۲۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط - ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۳.۳ V
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول - ۸ گرم
رنگ‌بندی - مشکی
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه اس اس دی اینترنال Fujitsu S26361-F5320-L160با اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ویژگی

اس اس دی اینترنال Fujitsu S26361-F5320-L160

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

میزان ظرفیت حافظه ۱.۶ ترابایت ۲۵۰ گیگابایت
اندازه و ابعاد ۲.۵" M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه SAS Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری - Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
مشخصات حافظه فلش (Flash) - V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی - ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط - ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول - ۸ گرم

مقایسه اس اس دی اینترنال Fujitsu S26361-F5320-L160با اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886

ویژگی

اس اس دی اینترنال Fujitsu S26361-F5320-L160

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886

میزان ظرفیت حافظه ۱.۶ ترابایت ۱.۹۲ ترابایت
اندازه و ابعاد ۲.۵" 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه SAS Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
مشخصات حافظه فلش (Flash) - V-NAND TLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۸۲۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۴۷۵۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - No
فناوری رمزنگاری - No
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true