صفحه 16 از مقایسه داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 7 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی	داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1450 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	160,000IOPS	480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	550,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 256 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	حداکثر 2848 میلی‌وات هنگام استفاده ** 528 میلی‌وات * حالت Idle	5.5 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC پشتیبانی از Garbage Collection	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 صد * پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
مواد بدنه	فلز	-
اندازه و ابعاد	4.8 * 23 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

داهوا VS Samsung

ویژگی	داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1450 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	160,000IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	550,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 256 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	حداکثر 2848 میلی‌وات هنگام استفاده ** 528 میلی‌وات * حالت Idle	5 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC پشتیبانی از Garbage Collection	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 صد * پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
مواد بدنه	فلز	-
اندازه و ابعاد	4.8 * 23 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

داهوا VS ای دیتا

ویژگی	ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC	Micron 64-Layer 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1450 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	160,000IOPS	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	290,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 256 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	حداکثر 2848 میلی‌وات هنگام استفاده ** 528 میلی‌وات * حالت Idle	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC پشتیبانی از Garbage Collection	-
مواد بدنه	فلز	-
اندازه و ابعاد	4.8 * 23 * 80 میلی‌متر	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	SMI SM2262EN
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

داهوا VS Samsung

ویژگی	داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1450 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	160,000IOPS	600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	550,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 256 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	حداکثر 2848 میلی‌وات هنگام استفاده ** 528 میلی‌وات * حالت Idle	5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC پشتیبانی از Garbage Collection	-
مواد بدنه	فلز	-
اندازه و ابعاد	4.8 * 23 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix
نوع حافظه DRAM	-	1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

داهوا VS Samsung

ویژگی	داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1450 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	160,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	600,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 256 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	حداکثر 2848 میلی‌وات هنگام استفاده ** 528 میلی‌وات * حالت Idle	5 وات * حالت خواندن ** 3.9 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC پشتیبانی از Garbage Collection	-
مواد بدنه	فلز	-
اندازه و ابعاد	4.8 * 23 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	9 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung Elpis
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

داهوا VS Samsung

ویژگی	داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1450 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	160,000IOPS	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	1,000,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 256 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	حداکثر 2848 میلی‌وات هنگام استفاده ** 528 میلی‌وات * حالت Idle	6.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC پشتیبانی از Garbage Collection	-
مواد بدنه	فلز	-
اندازه و ابعاد	4.8 * 23 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	9 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung Elpis
نوع حافظه DRAM	-	1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایتبا داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

داهوا VS ای دیتا

ویژگی	ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت	داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	440 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1450 مگابایت بر ثانیه	430 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	160,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 256 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	حداکثر 2848 میلی‌وات هنگام استفاده ** 528 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC پشتیبانی از Garbage Collection	پشتیبانی از SLC Cache هوشمند ** مقاوم * برابر لرزش و ضربه از ارتفاع 1.22 متری ** پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4
مواد بدنه	فلز	پلاستیک
اندازه و ابعاد	4.8 * 23 * 80 میلی‌متر	15.2 * 80 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	60 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	true
شیوه اتصال	-	Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1
کنترلر (Controller)	-	Maxio Technology MAS0902A
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه XP و بالاتر مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر ** ان*وید 5.0 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	استاندارد نظامی MIL-STD-810G 516.6 ** FCC, CE, KC, EAC, BSMI, RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه