صفحه 6 از مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Micron 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263XT Silicon Motion SM2258XT
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک -
قابلیت‌های جانبی محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 9 * 95 * 125 میلی‌متر
وزن محصول 25 گرم 70 گرم
نشانگر وضعیت LED false -
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTTF) ** 720 ترابایت (TBW)
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, CE, WEEE, ROHS, EPEAT, Halogen Free, SATA-IO, ICES

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D TLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263XT -
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 7250 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 6900 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک -
قابلیت‌های جانبی محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 11.04 * 24.2 * 80.16 میلی‌متر
وزن محصول 25 گرم 47 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 5100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 8.6 میلی‌وات * حالت فعال ** 30 میلی‌وات * حالت PS3 Idle
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا سابرنت Rocket Q NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

سابرنت Rocket Q NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D QLC NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263XT -
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک -
قابلیت‌های جانبی محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 10 * 80 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 25 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
طول عمر متوسط - 260 (TBW) ترابایت

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263XT Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 5 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک -
قابلیت‌های جانبی محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 25 گرم 62 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 96,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 89,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 1GB LPDDR4
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263XT PHISON E26
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 10000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 10000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک -
قابلیت‌های جانبی محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
وزن محصول 25 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 1,500,000IOPS
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش
طول عمر متوسط - 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - حداکثر 11 وات هنگام استفاده

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263XT Samsung MKX
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 5 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک -
قابلیت‌های جانبی محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 25 گرم 46 گرم
نشانگر وضعیت LED false -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 2 MB LPDDR4
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت Idle ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, KCC, VCCI, RCM

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 2-bit MLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263XT Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 5 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک -
قابلیت‌های جانبی محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 × 69.85 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول 25 گرم 62 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 100.000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 90.000IOPS
نوع حافظه DRAM - 2 MB LPDDR4
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 2.2 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263XT Samsung MGX
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک -
قابلیت‌های جانبی محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 25 گرم 54.4 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 90,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 512MBLPDDR3
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 3.1 وات * حالت خواندن ** 3.6 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263XT -
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 3900 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک ویندوز 7 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار PNY PCIe SSD Toolbox
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 25 گرم 6.6 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 6800 ترابایت (TBW)
مجوزها و تاییدیه‌ها - BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI, KCC

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Micron 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263XT Silicon Motion SM2258XT
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک -
قابلیت‌های جانبی محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 9 * 95 * 125 میلی‌متر
وزن محصول 25 گرم 70 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTTF) ** 360 ترابایت (TBW)
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, CE, WEEE, ROHS, EPEAT, Halogen Free, SATA-IO, ICES

مقایسه ای دیتا XPG SX900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایتبا بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا XPG SX900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC NAND 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) SandForce 2281 Silicon Motion SM2263XT
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 500 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 91,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,000,000 (MTBF) ساعت -
میزان توان مصرفی 0.8 وات * حالت فعال ** 0.4 وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه XP و بالاتر ** مک ** لینوکس ویندوز ** لینوکس ** مک
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100.45 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 68 گرم 25 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت‌های جانبی - محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263XT Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
وزن محصول 25 گرم 45 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 300,000IOPS
نوع حافظه DRAM - DDR4
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)